公开(公告)号：CN104051213A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410081006.6

申请日：2008-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松浦广行 ,  高桥俊树 ,  福岛讲平

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理体实施等离子体处理，其包括：能够抽真空的圆筒状的处理容器；保持多个被处理体向处理容器内插拔的保持单元；向处理容器内供给气体的气体供给单元；和利用等离子体使气体活性化的活性化单元，其中，活性化单元由沿处理容器长边方向配设的等离子体生成箱、沿等离子体生成箱配设的电感耦合型电极和连接到电感耦合型电极的高频电源构成，电感耦合型电极在等离子体生成箱的一端折返，沿等离子体生成箱的两侧壁配设，等离子体生成箱由截面“コ”状的等离子体区分壁区分形成，该等离子体区分壁由相对的一对侧壁和连接该侧壁的一端侧的背面壁构成，串联连接成为一部分被切去的状态的多个环状电极而形成电极。

公开(公告)号：CN102163530B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201110054175.7

申请日：2008-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松浦广行 ,  高桥俊树 ,  福岛讲平

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/509 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。

公开(公告)号：CN103354202A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310258380.4

申请日：2010-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福岛讲平 ,  高桥俊树 ,  松浦广行 ,  本山丰 ,  山本和弥

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/452 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。

公开(公告)号：CN1908228B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610108370.2

申请日：2006-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  周保华 ,  小川淳 ,  金採虎 ,  福岛讲平 ,  高桥俊树 ,  佐藤润

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。

公开(公告)号：CN101494163A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910005625.6

申请日：2009-01-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田郁夫 ,  松浦广行 ,  高桥俊树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，该处理装置对被处理体(W)进行热处理。处理装置具有：能够收容多个被处理体(W)的处理容器(22)；设于处理容器(22)外侧的感应加热用线圈部(104)；对感应加热用线圈部(104)施加高频电力的高频电源(110)；将气体导入处理容器(22)内的气体供给部(90)；在处理容器(22)内保持被处理体(W)的保持部(24)；和通过来自感应加热用线圈部(104)的高频感应加热并加热被处理体(W)的感应发热体(N)。在感应发热体(N)上形成有用于控制在该感应发热体(N)上产生的涡电流的流动的切口状的槽部。

公开(公告)号：CN101378007A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810171431.9

申请日：2008-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松浦广行 ,  高桥俊树 ,  福岛讲平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/318 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。

公开(公告)号：CN101359583A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810128089.4

申请日：2008-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥俊树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/67757 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32779

Abstract: 本发明提供一种批量式的等离子体处理装置，具有封闭端和与此相对的开口端，同时包括具有收纳被处理基板的处理区域的筒状的处理容器，处理容器具有筒状的绝缘性主体。装置还包括：隔开间隔保持被处理基板的保持具、对处理容器内搬入搬出保持具的装载机构、和配置在装载机构上并气密地关闭开口端的盖部。在处理容器的封闭端配置第一电极，在盖部配置第二电极，第一和第二电极构成平行平板电极对。在第一和第二电极的一方连接有施加等离子体生成用的高频电力的高频电源。

公开(公告)号：CN101042992A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089464.4

申请日：2007-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松浦广行 ,  高桥俊树 ,  佐藤润 ,  相川胜芳 ,  石井胜利

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/318 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及半导体处理用的立式等离子体处理装置，其包括一体地附设在处理容器上并由具有绝缘性内面的壳体形成的气密的附属室。附属室横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而具有等离子体发生区域。在处理区域与等离子体发生区域之间配设具有绝缘性表面的分隔板。分隔板具有横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而形成的气体流路。处理气体在通过等离子体发生区域时被激发，通过气体流路而被供给处理区域。