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公开(公告)号：CN118431062A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410526243.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
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公开(公告)号：CN110323119B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910231749.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
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公开(公告)号：CN112309851A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010715163.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片处理方法，其包括：准备含有蚀刻对象膜和掩模的基片的步骤；用等离子体通过所述掩模来对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤；和在所述进行蚀刻的步骤之后，在规定的温度下对基片进行热处理的步骤。根据本发明，能够防止因沉积于蚀刻对象膜的反应生成物而使蚀刻对象膜受到损伤。
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公开(公告)号：CN110323119A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910231749.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
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公开(公告)号：CN110246739A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910161278.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
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公开(公告)号：CN101740298B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910207951.5
申请日：2009-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其构成部件，该等离子体处理装置的构成部件能够防止沉积物在角部堆积。在利用等离子体对晶片(W)实施干蚀刻处理的等离子体处理装置(10)所具备的上部电极(33)的外侧电极(33b)，内周部(33c)和倾斜面(33d)所成的角部(33e)的角度(θ1)是140°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41b)所成的角部(41c)的角度(θ2)是125°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41d)所成的角部(41e)的角度(θ3)是125°，槽(41)的底面(41a)的宽度是鞘层长度的2倍以上。
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公开(公告)号：CN101074473B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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公开(公告)号：CN1828825A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610007746.0
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种气体供给部件和等离子体处理装置，能够不滞留气体地向腔室供给气体。作为气体供给部件的导入气体喷淋头(32)，在气体孔(35)与腔室相对部侧的外缘部上具有相对于气体孔(35)的中心轴有n次旋转对称性(n是2以上的自然数)的斜面(201)。斜面(201)相对于电极板空间相对面的倾角是20°。此外，配置气体孔(35)的直径为2mm，彼此的间隔为5mm。
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