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公开(公告)号：CN111095499A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004518.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，所述部件的形成方法包括一边供给第1陶瓷的原料和与该第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一边对所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN100459059C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200380104292.3
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01L21/31116
Abstract: 一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。
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公开(公告)号：CN111092009B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910992484.5
申请日：2019-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。本发明能够提高热响应性。
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公开(公告)号：CN119585853A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054430.9
申请日：2023-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 一种高纯度硅的层叠造型方法，其包括：使真空处理容器的内部成为高真空状态的工序；对配置在所述真空处理容器的内部的基板进行加热的工序；使硅粉末堆积在所述基板上的硅粉末堆积工序；使造型用能量射线在所述基板上扫描而形成熔化硅层的熔化硅层形成工序；和使所述熔化硅层冷却而形成凝固硅层的凝固硅层形成工序，反复执行包括使所述硅粉末堆积的工序、所述熔化硅层形成工序和所述凝固硅层形成工序的循环。
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公开(公告)号：CN117810155A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410183163.1
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供载置台和基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；和配置在所述处理容器内的一体形成的基台，所述基台在其内部包括：供第1温度的热媒流动的第1流路；配置在所述第1流路的下部的第1隔热空间；和第2流路，其配置在所述第1隔热空间的下部，供第2温度的热媒流动。
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公开(公告)号：CN111524850B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010069144.8
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , C23C16/458 , H01J37/32
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公开(公告)号：CN115116816A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210246561.4
申请日：2022-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 斋藤道茂
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够提高基片温度的可控性的基片支承部和基片处理装置。其包括：基座；第一流路，其在上述基座的中央部于上述基座的下表面开口；第二流路，其包围上述第一流路的周围，在上述基座的下表面开口；第三流路，其被配置成与上述第一流路连通并从上述基座的中央部去往外周部；和第四流路，其被配置成与上述第二流路连通并从上述基座的中央部去往外周部，并且构成为在上述基座的外周部与上述第三流路连通。
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公开(公告)号：CN100416773C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200380104294.2
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。
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公开(公告)号：CN1717789A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104293.8
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括可以设置成有真空气氛的处理容器(10)。第一上部电极(36)被配置成与配置在处理容器(10)内的被处理基板(W)相面对并成环状。在第一上部电极(36)的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置第二上部电极(38)。第一供电部(50)把来自第一高频电源(52)的第一高频以第一功率值提供给第一上部电极(36)。从第一供电部(50)分出的第二供电部(76)把来自第一高频电源的所述第一高频，以比第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极(38)。
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