公开(公告)号：CN114388330A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111194945.8

申请日：2021-10-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽地淳 ,  广瀬润 ,  西嶋拓哉 ,  曾根一朗 ,  佐藤优

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、基片处理系统和维护方法，能够易于对形成在其中对基片进行处理的处理空间的腔室进行维护。本发明的基片处理装置包括：第1腔室和第2腔室、基片支承器、升降机构、夹具和解除机构。第1腔室包括提供开口的侧壁以及可动部。升降机构使可动部向上方和下方移动。基片支承器配置在第1腔室内。第2腔室配置在第1腔室内，与基片支承器一同形成空间。第2腔室能够经由开口在第1腔室的内部空间与第1腔室的外部之间进行搬送。夹具将第2腔室按照可解除的方式固定在可动部上。解除机构用来解除夹具对第2腔室的固定。

公开(公告)号：CN110010439B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201811572930.9

申请日：2018-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广瀬润 ,  上田雄大

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开涉及等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。目的在于提高等离子体蚀刻装置的生产率。等离子体蚀刻装置具有：能够进行真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置基板的下部电极；在所述处理容器内与所述下部电极以并行的方式相向的上部电极；处理气体供给部，其向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；高频供电部，其向所述上部电极或者所述下部电极施加用于由所述处理气体生成等离子体的高频；聚焦环，其覆盖所述基板的周边部；直流电源，其输出用于施加于所述聚焦环的直流电压；加热部，其加热所述聚焦环；以及温度测定部，其测定所述聚焦环的温度。

公开(公告)号：CN113594060A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110429613.7

申请日：2021-04-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 网仓纪彦 ,  广瀬润

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明增加处理系统的工作时间。处理系统包括真空输送组件、多个处理组件、多个负载锁定组件、多个大气输送组件。真空输送组件在比大气压低的压力气氛下输送基片。多个处理组件与真空输送组件连接，用于处理基片。多个负载锁定组件与真空输送组件连接。多个大气输送组件在大气压气氛下输送基片。另外，各大气输送组件与多个负载锁定组件的至少一个连接。

公开(公告)号：CN111868891A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980019371.5

申请日：2019-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田石真之 ,  广瀬润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

Abstract: 在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体蚀刻方法中，将基板配置于静电吸盘上且被聚焦环包围的区域内。通过被来自等离子体的离子将基板在被静电吸盘保持的状态下进行蚀刻。静电吸盘具有包括第一电极和第二电极的多个电极。第一电极在基板的中央区域的下方延伸。第二电极在基板的边缘区域的下方延伸。向多个电极分别施加多个电压，所述多个电压被决定为在基板被静电吸盘保持的状态下使来自等离子体的离子大致垂直地入射于中央区域和边缘区域这两方。

公开(公告)号：CN111430232A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201911365022.7

申请日：2019-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 内田阳平 ,  广瀬润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的载置台，其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外，环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔，设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部，和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧，而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。根据本发明，能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。

公开(公告)号：CN100459059C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200380104292.3

申请日：2003-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 兴石公 ,  广瀬润 ,  小笠原正宏 ,  平野太一 ,  佐佐木宽充 ,  吉田哲雄 ,  斋藤道茂 ,  石原博之 ,  大薮淳 ,  沼田幸治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32577 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。