公开(公告)号：CN103031529B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210376114.7

申请日：2012-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水野茂 ,  户岛宏至 ,  五味淳 ,  宫下哲也 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。

公开(公告)号：CN1788106B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200480013128.6

申请日：2004-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中雅之 ,  甲斐亘三 ,  村上诚志 ,  宫下哲也

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明涉及一种使用原料气体和反应性气体对被处理体(例如半导体晶片)进行成膜处理等的处理装置。该装置具有：内部容纳被处理体(W)的处理容器(22)，分别向处理容器内选择性地供给原料气体和反应性气体的原料气体供给系统(50)和反应性气体供给系统(52)，和用于对处理容器内的环境气体进行真空排气、具有真空泵(44、46)的真空排气系统(36)。该装置还具有使原料气体和反应性气体分别绕过处理容器，从各气体供给系统选择性地流入真空排气系统的原料气体旁路系统(62)和反应性气体旁路系统(66)。在各旁路系统(62、66)中，分别设置有在关闭状态下防止原料气体和反应性气体向真空排气系统流出的原料气体流出防止阀(X1)和反应性气体流出防止阀(Y1)。

公开(公告)号：CN101688296A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023081.X

申请日：2008-09-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫下哲也 ,  平田俊治 ,  原正道

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67184 ,  C23C14/566 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67196

Abstract: 本发明提供真空处理系统及基板搬送方法。真空处理系统(1)具备：第一处理部(2)，其在搬送晶片(W)的第一搬送室(11)上连接PVD处理室(12～15)而成；第二处理部(3)，其在搬送晶片的第二搬送室(21)上连接CVD处理室(22、23)而成；缓冲室(5a)，其隔着门阀(G)设于第一搬送室(11)及第二搬送室(12)之间，可以收容晶片(W)，并且可以进行压力调整；控制部(110)，其如下进行控制，即，将缓冲室(5a)与第一搬送室(11)及第二搬送室(12)的任意一方选择性地连通，按照使其内部的压力适合于所连通的搬送室内的压力的方式，控制门阀(G)的开闭及缓冲室(5a)的压力。