公开(公告)号：CN101622373B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880007035.0

申请日：2008-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 生田浩之 ,  吹上纪明

IPC: C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: C23C14/545 ,  C23C14/228 ,  C23C14/246 ,  C23C14/56 ,  H01L51/001

Abstract: 本发明提供一种蒸镀装置的控制装置，是利用在蒸镀源(110)中气化后的成膜材料对基板(G)进行成膜处理的蒸镀装置(100)的控制装置(700)，控制装置(700)的存储部(710)存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部(750)基于工艺条件，从存储于存储部(710)中的多个表格中选择期望的表格。成膜控制器(200)基于从用于检测成膜材料的气化速度的QCM(180)中输出的信号，求出在基板G上的成膜速度。载气调整部(760)使用存储于存储部(710)中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，与利用成膜控制器(200)求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差对应地，为了获得期望的成膜速度而调整载气流量。

公开(公告)号：CN1867695B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200480029963.9

申请日：2004-10-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 吹上纪明 ,  凯瑟琳娜·巴比彻

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  G03F7/091 ,  H01J2237/3321

Abstract: 本发明公开了一种用于改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法和装置。该方法包括利用等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底上沉积具有可调节光学和抗刻蚀性质的TERA膜，并利用等离子体工艺后处理TERA膜。该装置包括室和用于提供多种前驱体和处理气体的喷淋头，其中室具有耦合到第一RF源的上电极和耦合到第二RF源的衬底夹持器。

公开(公告)号：CN101622692A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006209.1

申请日：2008-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吹上纪明 ,  河本慎二 ,  高场裕之 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器(32)内对被处理体(W)使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为比第一压力高的第二压力而进行清洗。这样，就可以对处理容器的内壁面或处理容器内的构件不造成损伤地、有效并且迅速地进行清洗。

公开(公告)号：CN100540733C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200480023772.1

申请日：2004-08-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吹上纪明

IPC: C23C16/509 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明公开了一种用于利用等离子体增强化学气相沉积在衬底上沉积具有可调节光学和抗刻蚀性质的膜的方法和系统。室具有等离子体源和耦合到RF源的衬底夹持器。衬底被放置在衬底夹持器上。TERA层被沉积在衬底上。选择由RF源提供的RF功率的量，使得TERA层的至少一部分的沉积速率大于在不向衬底夹持器施加RF功率时的沉积速率。

公开(公告)号：CN100490069C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200480030051.3

申请日：2004-10-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 吹上纪明 ,  凯瑟琳娜·巴比彻

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0276 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供了一种利用等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底上沉积具有可调光学和抗刻蚀特性的TERA薄膜的方法和装置，其中，对于TERA薄膜沉积的至少一部分，等离子体增强化学气相沉积工艺采用一种减少与光刻胶反应的前驱体。该装置包括一个具有耦合到第一RF源上的上部电极和耦合到第二RF源上的衬底托架的室，和用于提供多步处理和前驱气的喷淋头。