公开(公告)号：CN101622373A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880007035.0

申请日：2008-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 生田浩之 ,  吹上纪明

IPC: C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: C23C14/545 ,  C23C14/228 ,  C23C14/246 ,  C23C14/56 ,  H01L51/001

Abstract: 本发明提供一种蒸镀装置的控制装置，是利用在蒸镀源(110)中气化后的成膜材料对基板(G)进行成膜处理的蒸镀装置(100)的控制装置(700)，控制装置(700)的存储部(710)存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部(750)基于工艺条件，从存储于存储部(710)中的多个表格中选择期望的表格。成膜控制器(200)基于从用于检测成膜材料的气化速度的QCM(180)中输出的信号，求出在基板G上的成膜速度。载气调整部(760)使用存储于存储部(710)中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，与利用成膜控制器(200)求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差对应地，为了获得期望的成膜速度而调整载气流量。

公开(公告)号：CN102719794A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210186855.9

申请日：2008-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 生田浩之 ,  吹上纪明

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/545 ,  C23C14/228 ,  C23C14/246 ,  C23C14/56 ,  H01L51/001

Abstract: 本发明提供一种具有控制装置的蒸镀装置，蒸镀装置（100）利用在蒸镀源（110）中气化后的成膜材料对基板（G）进行成膜处理，控制装置（700）的存储部（710）存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部（750）基于工艺条件，从存储于存储部（710）中的多个表格中选择期望的表格。成膜控制器（200）基于从用于检测成膜材料的气化速度的QCM（180）中输出的信号，求出在基板G上的成膜速度。载气调整部（760）使用存储于存储部（710）中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，与利用成膜控制器（200）求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差对应地，为了获得期望的成膜速度而调整载气流量。

公开(公告)号：CN101622373B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880007035.0

申请日：2008-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 生田浩之 ,  吹上纪明

IPC: C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: C23C14/545 ,  C23C14/228 ,  C23C14/246 ,  C23C14/56 ,  H01L51/001

Abstract: 本发明提供一种蒸镀装置的控制装置，是利用在蒸镀源(110)中气化后的成膜材料对基板(G)进行成膜处理的蒸镀装置(100)的控制装置(700)，控制装置(700)的存储部(710)存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部(750)基于工艺条件，从存储于存储部(710)中的多个表格中选择期望的表格。成膜控制器(200)基于从用于检测成膜材料的气化速度的QCM(180)中输出的信号，求出在基板G上的成膜速度。载气调整部(760)使用存储于存储部(710)中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，与利用成膜控制器(200)求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差对应地，为了获得期望的成膜速度而调整载气流量。

公开(公告)号：CN102171377A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138649.7

申请日：2009-09-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 生田浩之 ,  江面知彦 ,  鎌田丰弘

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C14/541 ,  C23C14/544 ,  C23C14/56

Abstract: 蒸镀装置(10)具有：多个蒸镀源单元(100)，其具有材料容器(110a)与载气导入管(110b)，并使被收纳在材料容器(110a)中的成膜材料气化，借助从载气导入管(110b)导入的第1载气输送成膜材料的气化分子；连接管(200)，其与多个蒸镀源单元(100)连接，输送在各个蒸镀源单元中被输送的成膜材料的气化分子；旁路管(300)，其将第2载气直接导入连接管(200)；处理容器(Ch)，其内置有与连接管(200)连接的喷出机构(400)，并从喷出机构(400)喷出利用第1及第2载气输送的成膜材料的气化分子，在该处理容器内部对基板进行成膜处理。