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公开(公告)号：CN105704904A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610082046.1
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46 , H05H2001/4652
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化。RF天线(54)具有线圈直径不同的多个单绕线圈(54(1)、54(2)、54(3))。各线圈(54(1)、54(2)、54(3))的高频供电点夹着非常小的切口而设置。
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公开(公告)号：CN102056396B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010525423.7
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，在电感耦合型的等离子体处理装置中，提高方位角方向乃至径向的等离子体密度分布的均匀性或控制性。在该电感耦合型等离子体蚀刻装置中，设置在腔室(10)的顶部的电介质壁(52)上的RF天线(54)，在天线室(56)内离开电介质窗(52)配置在其上方，具有与来自高频供电部(58)的RF供电线(60)、(68)连接的一次线圈(62)，和在能够通过电磁感应与一次线圈(62)耦合、且比该一次线圈(62)更靠近电介质窗(52)的下表面(与处理空间相对的面)的位置上配置的二次线圈(64)。
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公开(公告)号：CN102056395A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010524985.X
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体处理中，使用处于电浮动状态的线圈，自由且精细地控制等离子体密度分布。该感应耦合型等离子体处理装置在接近RF天线(54)的电介质窗(52)之下呈环形地生成感应耦合的等离子体，使该环形等离子体在宽阔的处理空间内分散，在基座(12)附近(即，半导体晶片(W)上)使等离子体的密度变得均匀。为了沿着径向任意地控制基座(12)附近的等离子体密度分布，带电容器的浮动线圈(70)对RF天线(54)产生的RF磁场以及在腔室(10)内生成的环形等离子体的等离子体密度分布发挥消极或者积极的作用。
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公开(公告)号：CN102056394A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010524932.8
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化。RF天线(54)具有线圈直径不同的多个单绕线圈(54(1)、54(2)、54(3))。各线圈(54(1)、54(2)、54(3))的高频供电点夹着非常小的切口而设置。
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公开(公告)号：CN101303998B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200810001389.6
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101303997B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810001388.1
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN107723682A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710686260.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。
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公开(公告)号：CN104768317B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510161834.5
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化。并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。
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公开(公告)号：CN104768317A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510161834.5
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化。并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。
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公开(公告)号：CN102376521B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110235895.3
申请日：2011-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32596 , H01J37/32697
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体控制方法，能够任意地控制处理室内的等离子体分布，还能够使处理室内的等离子体密度均匀化，对基板实施均匀的等离子体处理。该等离子体处理装置包括：对晶片(W)实施规定的等离子体处理的能够进行真空排气的腔室(11)；在腔室(11)内载置晶片(W)的基座(12)；被设置成隔着处理空间(S)与基座(12)相对的上部电极板(30a)；对基座(12)和上部电极(30a)中的一个施加高频电力，以在处理空间(S)内产生等离子体的高频电源(20)；以及与处理空间(S)相对的内壁构成部件，在与处理空间(S)的周边部相对的上部电极(30a)设置有空心阴极(31a～31c)，设置有空心阴极(31a～31c)的上部电极(30a)与鞘电压调整用的直流电源(37)连接。
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