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公开(公告)号：CN112599470A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011445232.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供的一种绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，绝缘埋层位于第一衬底和第二衬底之间；从键合结构上剥离去除部分厚度的第一衬底，以得到第一薄膜；在第一温度下第一次刻蚀第一薄膜，以去除第一厚度的第一薄膜；在第二温度下第二次刻蚀第一薄膜，以平坦化处理第一薄膜，并去除第二厚度的第一薄膜，第一温度小于第二温度，第一厚度大于第二厚度，第一厚度和第二厚度为第一薄膜的总刻蚀厚度。本发明通过先在第一温度下刻蚀减薄第一薄膜，再在第二温度下平坦化处理所述第一薄膜，同时达到第一薄膜的目标厚度，使得在平坦化处理顶层硅的同时还可以提高顶层硅厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN111876822A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010629650.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉，所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部，所述热屏包括屏壁和屏底，所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口，所述屏底包括上层、下层和侧壁，所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口，所述下层朝向所述熔体的液面，所述下层设为齿状结构，用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁；通过将屏底的下层设置为齿状结构，可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收，从而避免晶体表面热补偿过高，有效优化晶体纵向温度梯度，提高硅片径向的质量均匀性。
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公开(公告)号：CN116364533A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310573286.1
申请日：2023-05-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌；在所述正面形成表面处理层，所述表面处理层的表面也呈不平整的形貌；以及在所述表面处理层上形成多晶硅膜层，本发明通过粗糙化处理第一衬底，使得第一衬底的正面和表面处理层的表面均呈不平整的形貌，从而使得形成的多晶硅膜层有稳定的取向演变和晶粒尺寸，使多晶硅膜层具有更高的晶界密度，从而能够得到高效率的电荷捕获多晶硅膜层。
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公开(公告)号：CN113109363B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110260251.3
申请日：2021-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种表征硅晶体中缺陷的方法，所述方法包括：对硅晶体的表面进行蚀刻，以去除目标厚度的硅晶体；对蚀刻后的所述硅晶体的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度；根据所述水平表面的光散射颗粒扫描图、所述光散射等效尺寸和所述缺陷体密度中的至少一种确定硅晶体中存在的缺陷的类型和/或每种缺陷在水平面上存在的缺陷区间。所述方法可以减少缺陷表征周期、减少表征成本、同时表征多种缺陷(空洞，氧沉淀，位错)，还可以提高表征精度，能够实现缺陷类型与缺陷区间的区分，具有高可靠性，适用所有晶体缺陷类别，操作简便，为一种环境友好型的原生缺陷检测手段。
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公开(公告)号：CN114914192A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210475540.X
申请日：2022-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅结构及其制备方法，绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供一第一衬底，第一衬底中有氧沉淀；在第一表面上通过氧化形成第一绝缘层，同时在氧化过程中溶解距离第一表面预设深度范围内的氧沉淀，以在距离所述第一表面预设深度范围内形成无缺陷洁净区，使得得到的绝缘体上硅结构中的HF‑defect数量减少，保证绝缘体上硅结构的高良率和低缺陷，剥离后的第一衬底可至少重复使用5次，并在机械力满足的情况下的剥离后的第一衬底可重复使用10次以上，这就大大增加了第一衬底的使用次数，降低制程成本，同时也扩大了直拉单晶硅生长工艺窗口，含有原生氧沉淀的硅晶圆也可被直接用于制备高质量绝缘体上硅结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114855284A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210359258.5
申请日：2022-04-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种生长单晶硅的方法，该方法包括：在长晶炉的坩埚中放置硅料；对所述坩埚进行加热，以使所述硅料熔融为硅熔体；确定所述硅熔体的液面位置；通过磁场发生器向所述硅熔体施加超导磁场，并调整所述磁场发生器的位置，使所述超导磁场的最强点位于所述液面位置下方的预设范围内；将籽晶浸入所述硅熔体中，并向上旋转提拉所述籽晶，使所述硅熔体在所述籽晶下端凝固结晶，以得到单晶硅的晶棒。本发明将超导磁场最强点的位置设置在硅熔体液面下方来控制晶棒中的氧含量，不需要对热场结构进行复杂更改，成本低且拉晶成功率高。
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公开(公告)号：CN114808112A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210343801.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l1，其中l0＞l1；利用所述熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶。本发明使用经过掺杂的籽晶，能够精准控制单晶的P/N型及电阻率，避免了额外引入掺杂剂带来的用量难以控制的问题，保持了单晶的重复性。
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公开(公告)号：CN114023643A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111273132.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种SOI晶圆的表面处理方法，包括以下步骤：提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括背衬底、顶层硅和绝缘埋层，绝缘埋层位于背衬底和顶层硅之间，顶层硅的表面粗糙度大于在第一目标温度下，通过长时间热退火工艺对顶层硅的表面进行第一次平坦化处理；以及在第二目标温度下，通过快速热退火工艺对顶层硅的表面进行第二次平坦化处理，以将长时间热退火工艺和快速热退火工艺结合，优化了SOI晶圆，特别是SOI晶圆的表面粗糙度，使得经过上述两个工艺的平坦化处理的SOI晶圆的顶层硅的表面粗糙度满足工艺需求。
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公开(公告)号：CN113655094A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110902930.6
申请日：2021-08-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定硅片导电类型的方法。所述方法包括：测量所述硅片的电阻率，以得到第一电阻率；将所述硅片在空气中放置预设时间；放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率，以得到第二电阻率；通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类型。所述方法对于高电阻率(高于500ohm‑cm)可以快速准确的判断硅片导电类型，测试结果准确，操作简单，对设备要求低，成本低。
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公开(公告)号：CN113282878A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110390415.4
申请日：2021-04-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法。所述方法包括：引晶前测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度‑时间曲线；对所述温度‑时间曲线进行傅里叶分析，得到频率‑振幅曲线；根据所述温度‑时间曲线判断熔体温度无剧烈变化之后，再以引晶温度稳定的频率‑振幅曲线作为标准参考曲线，将得到的所述频率‑振幅曲线与标准参考曲线进行比较，以判断引晶温度是否稳定。本申请所述方法通过傅里叶分析辅助及时间‑温度曲线，提高了引晶温度稳定性判断的准确率，降低了因误判引晶温度而导致的断线率。
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