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公开(公告)号：CN112680793B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910990349.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒底部设置有具有向下凸出的台阶，以使所述导流筒底部在所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离小于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112323141A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011212265.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶生长方法及单晶生长设备。单晶生长方法包括：提供单晶生长设备，包括坩埚、用于提拉坩埚的坩埚提拉装置、用于提拉单晶的单晶提拉装置、导流筒和用于提拉导流筒的导流筒提拉装置；设定理论液口距，根据坩埚和单晶尺寸确定理论埚跟比后开始单晶生长；在单晶生长过程中调整坩埚、导流筒和单晶中的一个或多个的位置并实时测量得到实际液口距，计算实际液口距和理论液口距的偏差值并依偏差值得到埚跟比变化值，依埚跟比变化值对理论埚跟比进行调整；依埚跟比变化值对单晶提拉装置的拉速进行调整，以使单晶生长过程中的晶体工艺拉速保持不变，其中，晶体工艺拉速为单晶相对于液面的提升速度。本发明有助于提高单晶生长品质。
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公开(公告)号：CN219260269U
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202320792005.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/10
Abstract: 本申请提供一种石墨坩埚及防止石英坩埚鼓包变形的可替换装置，涉及单晶生产设备领域，其包括若干石墨替换件，每个石墨替换件均设有通气孔，锅体开设有若干安装槽，安装槽贯穿锅体的底部，若干石墨替换件一一对应设置于若干安装槽内，通气孔用于供杂质气体从锅体底部逸出。通过设置石墨替换件和安装槽，在石墨坩埚承载石英坩埚的过程中，石墨坩埚和石英坩埚之间产生的杂质气体可以通过石墨替换件上的通气孔逸出，而不会集聚在石英坩埚和石墨坩埚之间的缝隙中，导致石英坩埚鼓包，且由于石墨替换件可以从安装槽中拆卸，则当石墨替换件被腐蚀至一定程度后，可以直接对石墨替换件进行更换，无需对整个石墨坩埚进行更换，提高石墨坩埚的使用寿命。
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公开(公告)号：CN219637400U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202321392288.2
申请日：2023-06-02
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种拉晶装置，包括坩埚、加热器、隔热层和生长室，所述隔热层置于所述生长室内，所述隔热层环绕所述加热器设置，所述加热器设置于所述隔热层和所述坩埚之间，所述装置还包括若干磁场探测器，所述隔热层外周开设有用于安装若干所述磁场探测器的若干放置槽。通过在隔热层的外周开设若干放置槽，通过在若干放置槽内放置磁场探测器，隔热层可以隔绝大部分热量，避免磁场探测器受到损伤，通过磁场探测器可以直接测量磁场强度，可以更精确的控制超导磁场的输出磁场，从而实现更稳定的单晶生长环境。
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