-
公开(公告)号：CN108257901A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611247974.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 赵旭良
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种晶圆传片结构，包括：基座，所述基座表面设有承载晶圆的承载面，在所述承载面边缘设有通孔；升降针，穿过所述基座的通孔，并经由所述通孔上下活动；升降轴，与所述升降针的底部连接，带动所述升降针上下活动。本发明的晶圆传片结构将传统设置于晶圆下方的升降针设置到晶圆的边缘，并改良升降针的顶部结构，减少晶圆与升降针的接触面积，不会在晶圆背面留下任何痕迹，不会破坏硅片的背面形貌，由于基座上的开孔位置移到了晶圆的边缘，即使在热传导的性能上不能很均匀，但是只会影响最边缘的部分，能够让晶圆的使用率更高，从而可提高生产良率。
-
公开(公告)号：CN107433275A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610356861.2
申请日：2016-05-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: B08B9/08
Abstract: 本发明提供了一种石英腔体的清洗装置及清洗方法，所述清洗装置包括：包括一清洗腔，设置于清洗腔底部的进液口、排液口以及密封垫，在石英腔体的清洗过程中，所述密封垫与石英腔体的开口接触并密封所述开口，其中，所述进液口和排液口均位于所述开口在清洗腔底部的投影区域内。采用本发明提供的清洗装置对石英腔体进行清洗时，由于密封垫可密封石英腔体的开口，因此清洗液只通入于石英腔体的内部，从而可避免清洗液泄露出，确保石英腔体的外部不被清洗液所侵蚀。
-
公开(公告)号：CN117190888A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311283702.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01B11/08
Abstract: 一种晶棒直径检测装置及晶棒生长设备，该晶棒直径检测装置，用于晶棒生长设备，包括：第一图像采集装置用于获取晶棒在熔体液面处的第一图像，所述第一图像中包括晶棒的第一边缘区域的图像；第二图像采集装置用于获取晶棒在熔体液面处的第二图像，所述第一图像中包括晶棒的第二边缘区域的图像；处理器与所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置连接，用于基于所述第一图像和所述第二图像，确定所述晶棒的检测直径；机架模组，设置于所述晶棒生长设备，用于固定所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置，并使所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置关于所述晶棒的中心轴对称设置。
-
公开(公告)号：CN107433275B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201610356861.2
申请日：2016-05-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: B08B9/08
Abstract: 本发明提供了一种石英腔体的清洗装置及清洗方法，所述清洗装置包括：包括一清洗腔，设置于清洗腔底部的进液口、排液口以及密封垫，在石英腔体的清洗过程中，所述密封垫与石英腔体的开口接触并密封所述开口，其中，所述进液口和排液口均位于所述开口在清洗腔底部的投影区域内。采用本发明提供的清洗装置对石英腔体进行清洗时，由于密封垫可密封石英腔体的开口，因此清洗液只通入于石英腔体的内部，从而可避免清洗液泄露出，确保石英腔体的外部不被清洗液所侵蚀。
-
公开(公告)号：CN111733449A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010647709.6
申请日：2020-07-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 赵旭良
IPC: C30B15/26
Abstract: 本发明提供一种晶棒生长设备及生长方法。晶棒生长设备包括生长炉、坩埚、加热器、提拉机构、红外探测仪、分度盘、传感器及控制装置；坩埚位于生长炉内；提拉机构包括提拉线及驱动装置，提拉线一端与晶棒的上部相连接，另一端与驱动装置相连接，晶棒的下部伸入坩埚内，晶棒上具有多根沿纵向延伸的晶线；红外探测仪位于生长炉的外侧；分度盘位于生长炉的上方，且与提拉机构相连接，以在提拉机构的带动下和晶棒同步旋转，分度盘的等分线的正投影位于相邻两根晶线之间；传感器位于分度盘的外围；控制装置与红外探测仪及传感器相连接，用于在传感器检测到分度盘的等分线时控制红外探测仪测量晶棒的直径。本发明有助于提高晶棒品质，提高生产良率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107456888B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201610395471.6
申请日：2016-06-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种溶剂混合器包括：储液槽；将多种液体导入所述储液槽的多路进液口；位于所述储液槽之下的初级导流圈；位于所述初级导流圈之下的次级锥形圈；其中，所述储液槽的下端设有开口，所述初级导流圈的上端设有进口，所述进口与所述开口对接，所述初级导流圈的下端设有多个锥形孔；所述次级锥形圈的上端与所述初级导流圈对接，所述次级锥形圈下端设有出液口。本发明的剂混合器可实现多种液体的有效、快速混合，装置成本低，操作简单，占用空间小，结合控制模块可实现精确配比和自动控制，有很强的实用性。
-
公开(公告)号：CN110625836A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910994483.4
申请日：2019-10-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 赵旭良
Abstract: 本发明提供一种晶棒工件板、晶棒切割装置及方法。晶棒工件板包括固定板及调整板，固定板用于放置晶棒；调整板位于固定板远离晶棒的表面，调整板上设置有圆心孔和若干个腰形通孔，圆心孔位于调整板的中间，若干个腰形通孔位于圆心孔的外围；固定板和调整板通过位于圆心孔和若干个腰形通孔内的螺栓相连接，腰形通孔内的螺栓可在腰形通孔内移动以调整固定板和调整板的相对位置，从而实现对晶棒的晶向偏角的调整。本发明通过固定板和调整板相配合的结构设计，通过调整调整板相对固定板的位置以实现对晶棒的位置调节，以将晶棒的晶向偏角调整至预期范围，确保最终切割出的晶圆符合要求。采用本发明，可提高切割晶圆的品质和生产效率。
-
公开(公告)号：CN110592662A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910913689.X
申请日：2019-09-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种热场测量机构及校正方法。在晶体生长装置中的坩埚轴上设置测量平台，距离传感器通过测量工装设置在测量平台上，在实际晶体生长状态的情况下，以坩埚轴为基准，测量热场各部件不同方位的径向距离，并根据测量结果对热场进行调整，增强热场的对中性，以保证晶体生长的热区对称且稳定，使得晶体生长的扭曲变形发生的概率降低，提高晶体表面的光滑平整性，进而提高晶体的良率。
-
公开(公告)号：CN205750484U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620692353.7
申请日：2016-07-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种气体处理装置，通过所述气体处理装置实现一工艺腔体中的气体的排出，所述气体处理装置包括：一抽气单元、一压力检测单元以及一控制单元。其中，所述压力检测单元用于实时检测工艺腔体中的气体压强，所述控制单元可根据检测结构对工艺腔体的抽气强度进行调整。即，本实用新型提供的气体处理装置中，通过远程自动化控制以对工艺腔体的抽气强度进行调整，其相对于手动调整不但可大大节省人力，并且还具有更高的调节精度，从而可进一步保障工艺的稳定性。
-
公开(公告)号：CN219598931U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202320589928.2
申请日：2023-03-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 赵旭良
Abstract: 本申请提供一种磨片机真空平台，涉及半导体技术领域。所述磨片机真空平台包括底部件，所述底部件上部具有一凹部，所述凹部的凹陷空间包括真空区，在所述真空区两侧边缘与所述凹部两内侧壁之间分别设有两个弹性空间，所述弹性空间填充有弹性件，所述底部件上所述凹陷空间之外的两侧上表面，与所述弹性件的上表面平齐。能够起到减震及自动高度适应功能，即使工作时硅片边缘有凸点也可以进行自动调整，能够解决凸点处应力集中的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.028 seconds)
