-
公开(公告)号：CN1252501C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200310108863.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应用大角度、小尺寸、低损耗的全反射型弯曲波导实现了传输光的分束、合束以及传输方向的改变。全反射型弯曲波导的全反射镜凹槽可以利用各向异性湿法腐蚀或反应离子刻蚀等技术获得，而且传输光在每个全反射镜镜面的入射角度均大于全反射角；此外，通过全反射镜连接的相邻传输波导的轴线相互垂直。本器件结构可以以硅、绝缘层上的硅(SOI)、GeSi/Si、AlGaAs、GaAs、GaAs/AlGaAs、InP/InGaAsP等材料为基材料。
-
公开(公告)号：CN1655323A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410093367.9
申请日：2004-12-22
Applicant: 上海新傲科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的原理，在离子注入后引入二氧化硅层缓解高温退火下锗的外扩散和晶格质量恶化，得到锗含量高的绝缘体上的硅锗材料。离子注入的能量是15～80keV，注入后，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；在1200～1375℃范围内退火，退火气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，最后去除二氧化硅保护层。制备的绝缘体上的硅锗材料埋氧层连续，锗含量高，全释放。
-
公开(公告)号：CN1655321A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410093369.8
申请日：2004-12-22
Applicant: 上海新傲科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法，依次包括二氧化硅保护层生长、离子注入、高温退火和去除二氧化硅层。其特征在于(1)注入前，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；(2)离子注入的能量范围是15～80keV，相应剂量范围是1.0×1017～6.0×1017m－2；(3)在1200～1375℃范围内退火，退火时间1～24个小时，退火气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0％～20％。(4)去除二氧化硅保护层。采用本发明的工艺制备的绝缘体上的硅锗材料埋氧层连续，晶格质量好，锗含量高，全释放，满足实用要求。
-
公开(公告)号：CN1564323A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017239.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的材料为SOI光电子器件的单片集成提供了衬底材料。
-
公开(公告)号：CN105261586B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510526031.5
申请日：2015-08-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底；在所述支撑衬底表面形成多晶层作为电荷陷阱；在所述多晶层表面和器件衬底表面中的至少一表面形成绝缘层；以所述绝缘层作为中间层，将支撑衬底与器件衬底键合；键合后对键合界面进行热处理，加热温度范围是300℃至800℃。本发明的优点在于在键合后采用低温热处理代替现有技术中的高温热处理技术，有效的避免了多晶层在高温条件下的晶粒聚集，使多晶层的电阻率维持在较高的水平。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047752B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510315465.0
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种硅衬底的表面改性方法，用于在MOCVD工艺生长GaN衬底前的预处理，包括如下步骤：采用改性离子注入至生长表面，所述改性离子中包括Al元素，还包括氮元素和氧元素中的至少一种。采用上述方法表面改性后的硅衬底可以用于高质量的氮化物的外延生长，其能避免氮化镓生长时镓液滴回融腐蚀现象，缓解应力，无裂纹产生，使晶体质量提高。本发明的优点在于，经过离子注入退火工艺后，硅衬底与氮化镓材料之间的晶格常数和热涨系数失配及应力问题得到很好的改善。本发明具有易操作、可控性好等优点，使外延生长条件窗口更宽。
-
公开(公告)号：CN106910770A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710122934.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/20 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基反相器芯片及其形成方法，所述氮化镓基反相器芯片包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的势垒层；位于部分势垒层表面的P型III族金属氮化物层；位于所述P型III族金属氮化物层表面的第一电极；位于所述势垒层表面第二电极、第三电极和第四电极。所述氮化镓基反相器芯片具有良好的传输性和强的带负载能力。
-
公开(公告)号：CN105762064A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610084232.9
申请日：2016-02-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)利用金属液滴回融所述衬底，以在所述衬底表面形成图形化表面；(c)在所述衬底图形化表面外延生长氮化物。本发明的优点在于，在衬底上实时生长过程中通入金属有机源，这些金属原子将集聚成纳米尺寸的液滴，高密度且均匀地结合在衬底的表面上，在高温下，这些金属液滴将与衬底形成合金，将衬底腐蚀出凹凸不平的表面，缓解衬底和氮化物外延层异质外延生长过程中由于晶格失配带来的应力，使外延层得到有效的弛豫，同时其能减少外延层中的穿透位错密度，从而降低氮化物外延层材料中的缺陷密度，提高材料的晶体质量，从而能改善器件的光学、电学性能。
-
公开(公告)号：CN103077885A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310036848.5
申请日：2013-01-31
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种受控减薄方法以及半导体衬底，所述受控减薄方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中的一预定深度处形成一特征图形层，所述特征图形层用于标定减薄的停止位置；减薄半导体衬底，并同时观察减薄表面是否出现特征图形，一旦出现特征图形，立即停止减薄。本发明的优点在于，采用在预定深度的位置制备识别图形来控制减薄的停止时机，可以精确控制减薄厚度，且具有较高的均匀性。
-
公开(公告)号：CN102768980A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210233289.2
申请日：2012-07-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体材料制造领域，尤其涉及一种衬底的表面处理方法，以及带有绝缘埋层衬底的制作方法。所述衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一衬底；研磨减薄衬底的一表面；采用能够腐蚀衬底自然氧化层的腐蚀液腐蚀研磨后的表面；采用化学机械抛光工艺抛光腐蚀后的表面。本发明经对研磨工艺的仔细研究发现，研磨减薄的过程中，高速研磨会产生高温，虽然有水冷，但是仍然会在损伤的表面形成一层自然氧化层。故本发明通过采用能够腐蚀被研磨衬底自然氧化层的腐蚀液腐蚀研磨后的表面，除去自然氧化层，进而降低研磨后的CMP工艺对顶层硅总厚度均匀性偏差的影响，提高产品的厚度均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.1 seconds)
