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公开(公告)号：CN106876257B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710122925.7
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种提高氮化镓基功率器件击穿电压的外延方法，所述外延方法包括：提供衬底；采用原子层沉积工艺，在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成氮化镓层。上述方法可以提高形成的氮化镓的质量。
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公开(公告)号：CN106876443A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710122935.0
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0611 , H01L29/66431
Abstract: 一种具有高击穿电压的氮化镓高电子迁移率晶体管及其形成方法，所述高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的第一势垒层；位于所述第一势垒层上的栅极、源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述栅极的两侧；位于所述栅极与漏极之间的第一势垒层表面的第二势垒层，所述第二势垒层侧壁与所述栅极一侧侧壁连接，用于产生二维空穴气。上述高电子迁移率晶体管具有更高的击穿电压。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106910770A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710122934.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/20 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基反相器芯片及其形成方法，所述氮化镓基反相器芯片包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的势垒层；位于部分势垒层表面的P型III族金属氮化物层；位于所述P型III族金属氮化物层表面的第一电极；位于所述势垒层表面第二电极、第三电极和第四电极。所述氮化镓基反相器芯片具有良好的传输性和强的带负载能力。
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公开(公告)号：CN106910770B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710122934.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/20 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基反相器芯片及其形成方法，所述氮化镓基反相器芯片包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的势垒层；位于部分势垒层表面的P型III族金属氮化物层；位于所述P型III族金属氮化物层表面的第一电极；位于所述势垒层表面第二电极、第三电极和第四电极。所述氮化镓基反相器芯片具有良好的传输性和强的带负载能力。
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公开(公告)号：CN106876257A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710122925.7
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/2056
Abstract: 一种提高氮化镓基功率器件击穿电压的外延方法，所述外延方法包括：提供衬底；采用原子层沉积工艺，在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成氮化镓层。上述方法可以提高形成的氮化镓的质量。
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