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公开(公告)号：CN103035515A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210249377.1
申请日：2012-07-18
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种沟槽的填充方法，是在半导体器件制造过程中，采用两种应力相反的第一氧化硅薄膜和第二氧化硅薄膜在沟槽中循环淀积及回刻将沟槽填充完成。两种应力相反的氧化硅薄膜解决了不同氧化膜之间的应力匹配问题，同时满足大开口及深沟槽的填充需求。
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公开(公告)号：CN102130133B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010027280.7
申请日：2010-01-18
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种SONOS器件，其源漏镜像对称，栅极包括一氮氧化硅浮栅和一多晶硅控制栅，氮氧化硅浮栅在沟道方向分为互相隔离且在隔离氧化层两侧呈镜像对称的氮氧化硅浮栅一和氮氧化硅浮栅二。氮氧化硅浮栅一和二在沟道方向的宽度通过侧墙工艺来定义，隔离氧化层的宽度通过侧墙的间距来定义。本发明还公开了所述SONOS器件的制造方法。本发明能够缩小器件的特征尺寸、提高器件的集成度，还能够避免镜像数据位间发生数据合并或丢失、提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN101452937B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200710094347.7
申请日：2007-11-30
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种一次可编程非挥发性存储器芯片单元，该一次可编程非挥发性存储器芯片单元包括一个电容耦合半导体场效应晶体管和一个电容，其中电容在具体制备时为沟槽型电容。本发明的一次可编程非挥发性存储器芯片单元，在保持电容值不变的前提下，大大缩小OTP单元所占用的面积。本发明还公开了前述沟槽型电容的制备方法。
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公开(公告)号：CN102074465B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910201855.X
申请日：2009-11-24
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种双阱制造工艺方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上依次生长衬垫氧化层和无定形硅；(2)以离子注入的方式将大剂量的P型离子或N型离子注入到无定形硅的底部附近；(3)光刻需要进行N型阱或P型阱注入的区域，并以反应离子刻蚀的方式将该区域的无定形硅刻蚀掉，停在衬垫氧化层上，并进行与步骤(2)的注入离子相反型的离子注入形成N型阱或P型阱，然后去除光刻胶；(4)以高温推阱的方式将无定形硅中的注入离子推入硅衬底中，形成与步骤(3)形成的阱相对的P型阱或N型阱；(5)最后将无定形硅以及衬垫氧化层去除。本发明能够克服双阱两次光刻套准以及实际尺寸波动所带来的误差，且只需要一次光刻，从而实现自对准。
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公开(公告)号：CN101740362B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200810043942.2
申请日：2008-11-18
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种栅极形成方法，在衬底上淀积用作栅氧的二氧化硅之后，包括如下步骤：1)在所述二氧化硅上淀积一层多晶硅，而后在多晶硅上淀积另一层二氧化硅作为二氧化硅保护层；2)接着对所述多晶硅进行掺杂以达到预定的多晶硅的阻值；3)采用光刻工艺定义出栅极位置；4)利用步骤3中光刻工艺后留下的光刻胶图形为掩膜，将栅极位置处的去除所述多晶硅上的所述另一层二氧化硅，之后去胶清洗；5)进行金属硅化物形成工艺，在露出的多晶硅上形成金属硅化物；6)以金属硅化物为掩膜，刻蚀多晶硅形成栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136494A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010027350.9
申请日：2010-01-21
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高压隔离型LDNMOS，包括一深N阱、沟道区、源区、漏区以及多晶硅栅，在沟道区和漏区间形成有浅沟槽隔离，在浅沟槽隔离底部的深N阱中形成有一低压P阱。沟道区和漏区间的深N阱和低压P阱组成器件的漂移区。低压P阱和深N阱形成一垂直方向的PN结，该PN结能使器件漏极端漂移区内的电场平坦化从而提高器件的击穿特性，也能使器件的源漏导通电阻特性同时优化。本发明还公开了该高压隔离型LDNMOS的制造方法。本发明并不需要新加光罩，而仅是对低压P阱的版图进行变动就能实现，能大大降低成本。
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公开(公告)号：CN102136493A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010027348.1
申请日：2010-01-21
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种高压隔离型LDNMOS器件，包括了一深N阱、沟道区、源区、漏区以及多晶硅栅，在漏区和沟道区之间的深N阱中形成有浅沟槽隔离，在浅沟槽隔离底部的深N阱中形成有一高压P阱和低压N阱，器件的漂移区由漏区和沟道区间的深N阱、低压N阱以及高压P阱组成。本发明还公开了该高压隔离型LDNMOS器件的制造方法。本发明并不需要新加光罩，而仅是对现有高压隔离型LDNMOS的高压P阱以及SONOS的低压N阱的版图进行变动就能实现，能够使高压器件的击穿特性和源漏导通电阻特性同时优化，并能大大降低成本。
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公开(公告)号：CN101752393B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810044039.8
申请日：2008-12-02
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/71 , H01L21/82
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器滤镜，在图像传感器的感光元件上设有法布里-珀罗反射器以形成滤镜。该法布里-珀罗反射器是一层介质层，该介质层的厚度满足法布里-珀罗原理，即该介质层的厚度等于某一波长光线的(n+1/2)λ，(n+3/4)λ或(n+1/4)λ，会使这一波长的光线形成消光或增强。此外，本发明还公开了上述图像传感器滤镜的制作方法，采用在图像传感器上薄膜刻蚀或薄膜生长的方法制成。本发明结构简单，简化了工艺，在芯片制造的过程在图像传感器上可直接制作彩色滤镜，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN101742131B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810044005.9
申请日：2008-11-25
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器的光电转换器，包括电源，重置晶体管，源跟随晶体管和光电二极管，电源与重置晶体管的漏极相连接，重置晶体管的源极与光电二极管的阴极相连接，光电二极管的阳极接地，源跟随管的栅极与光电二极管的阴极相连接，同时与重置晶体管的源极相连接，源跟随管的漏极与电源相连接，源跟随管的源极与BL相连接，时序控制信号与电源相连接，光电转换器的电源在时序控制信号作用下得到初始化信号，并进行信号采集和转换。本发明能降低制造成本，提高芯片的集成程度，节省待机功耗。
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公开(公告)号：CN101872743A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910057112.X
申请日：2009-04-23
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种MOS图像传感器中耗尽区的制备方法，该耗尽区用于吸收光子能量，在用来制备所述MOS图像传感器的衬底上生长导电类型与衬底导电类型相反的外延层，在外延层与衬底之间形成的耗尽区即为所要制备的耗尽区，所述外延层的厚度大于所述外延层和衬底之间形成的耗尽区在外延层部分的宽度。利用本发明的方法，通过外延层的掺杂浓度来调节以增加耗尽区的展宽，可进一步提高光子吸收效率。
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