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公开(公告)号：CN101814565A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010116073.9
申请日：2010-03-02
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管芯片结构及其制造方法，该结构包括生长衬底以及位于生长衬底上的半导体外延层，所述生长衬底或者半导体外延层或者生长衬底和半导体外延层的横截面的边缘为锯齿形或波浪形。该结构增加了芯片侧壁的面积、调整了芯片的出光角度，明显改善了芯片的亮度。本发明通过侧壁微结构技术，提高了芯片整体的出光效率，出光效率提高25％以上。
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公开(公告)号：CN101430223B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
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公开(公告)号：CN101779618A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910045469.6
申请日：2009-01-16
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥农业科技股份有限公司
Abstract: 一种采用单色LED灯对害虫进行选择性诱杀的方法，属消灭有害动物或有害植物用的设备领域。其利用LED发光器件的光谱波长单一性，采用可发出特定/指定波长的LED灯对指定种类的害虫进行诱杀或驱赶；其所述的LED灯为由多个LED发光器件构成的组合/复合式光源。由于其发光源只发出某种特定/指定波长的单色光或几种特定/指定波长的组合单色光，只对某一类或某几类害虫具有“吸引”性，可以避免现有技术中对各类昆虫的“广谱”吸引性，利用不同波长的单色光或单色光组合LED灯对当前高发的害虫进行有针对性的杀灭，是一种真正的生态型诱虫灯。可广泛用于农、林业的捕捉/杀灭/驱除有害昆虫领域。
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公开(公告)号：CN101958251B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910055074.4
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/428 , H01L21/20 , B23K26/36
Abstract: 本发明涉及一种在铝酸锂晶片上制备图形衬底的方法，包括：提供铝酸锂晶片；用飞秒激光沿平行的方向多次扫描所述铝酸锂晶片的表面，形成多个平行的沟槽，得到铝酸锂晶片图形衬底。与现有技术相比，本发明采用飞秒激光在铝酸锂晶片上刻蚀图形衬底，通过改变飞秒激光的聚焦功率，可以调整沟槽的深宽比，与湿法或干法刻蚀相比，操作简单，更易获得较大深宽比的图形衬底。
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公开(公告)号：CN101717923B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910200280.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括：LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤：步骤一，生长低温保护层：在MOCVD系统中，以LiAlO2(100)面做衬底，在N2保护下，升温到800-950℃；切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN，反应室压力为150-500torr，TMGa流量为1-50sccm；步骤二，生长U-AlGaN层：降低反应室压力至100-300torr，升温到1000-1100℃，生长U-AlGaN层，TMGa流量为10-150sccm，TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2；步骤三，生长高温U-GaN层：停止通入TMAl，继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面铝酸锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌，有利于提高器件的工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101625400A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910056425.3
申请日：2009-08-14
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海光学仪器研究所
Abstract: 一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置，属测试领域。其在各光电探测器信号输出端，设置前置放大器、A/D变换模块和无线发射模块，在终端微机系统信号输入端，设置一个受单片机控制的无线数据接收模块；无线数据接收模块和多个无线发射模块构成多对一的、星型网络拓扑结构的无线信号传输单元；将各光电探测器的输出信号进行数字化并按时序地且附有地址编码地进行无线发射，无线数据接收模块在单片机的控制下，对所有无线发射模块所发出的无线传输信号按地址编码进行自动巡检/接收并送入终端微机系统；终端微机系统进行实时自动巡检并采集各组LED灯具的光强变化数据，对每一被测灯具，实施测试管理和集中数据处理。
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公开(公告)号：CN100541850C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810042186.1
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，再用磷酸(温度为100-220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N-GaN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3-40微米，采用SC-2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N-GaN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30%以上。
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公开(公告)号：CN101509144A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910046584.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11－20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800－950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150－500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1－50sccm，对应于摩尔流量：4E－6mole/min－3E－4mole/min；然后降低压力至100－300torr，升温到1000－1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U－GaN)层，TMGa流量为10－150sccm，对应于摩尔流量：4E－5mol/min－7.5E－4mole/min；接着关闭TMGa的流量计，通入硅烷(SiH4)或者二茂镁(Cp2Mg)，生长一层SiNx或者Mg3N2阻挡层，厚度为1－100nm，然后再升温到1050－ 1150℃，在氢气气氛下生长高温U－GaN约1um，TMGa流量为20－200sccm，对应于摩尔流量：8E－5mol/min－1E－3mole/min。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，而高温U－GaN的目的是提高薄膜质量，改善表面平整度。
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公开(公告)号：CN101958333A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055071.0
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上具有氧化硅膜层；在所述氧化硅膜层上具有点阵排列的圆孔，所述圆孔的深度与氧化硅膜层的深度相等，在所述圆孔内具有n型GaN膜；在所述n型GaN膜上具有至少一个周期的GaInN/GaN量子阱；在所述的GaInN/GaN量子阱上具有p型GaN膜。本发明提供的半导体发光器件中，GaInN/GaN量子阱呈点阵排列，与在衬底上直接外延得到的量子阱结构相比，点阵排列的GaInN/GaN量子阱可以提高LED显示屏的分辨率。
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公开(公告)号：CN101956233A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055070.6
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种镓酸锂晶体的制备方法，包括：将Li2CO3和Ga2O3作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；在真空条件下加热所述成型体得到熔体，将籽晶下到所述熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。按照本发明，在烧结的过程中，可以提高原料纯度，降低晶体生长的挥发。然后，将成型体在真空条件下加热形成熔体，取籽晶下到熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶以降低温场的不均匀性，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。采用冷心下种，可以使固液界面的顶端与籽晶中心重合防止晶体偏心生长，有利于挥发性物质的排出，从而提高晶体质量。
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