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公开(公告)号：CN104198272B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410437861.6
申请日：2014-08-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种3D‑TSV原位拉伸试样及其制备方法，所述试样包括试样柱部分、固定部分和夹持部分，其中：试样柱采用干膜代替正胶制备，以便于金属柱的生长；固定部分与试样柱部分一同电镀完成，并作为试样柱部分与外界连接的端口，以解决试样柱小难以操作的难题；为方便测试仪器的夹持，本发明运用电镀、粘结或焊接方法制备夹持部分，电镀方法是直接在固定端再次图形化一层条状金属，金属两端带圆环，弯折后圆环对齐作为夹持部分；粘结与焊接方法是将以制备好的夹持部分用粘结或焊接直接同固定端连接。本发明设计总体便于操作，步骤简单，在保证准确性的基础上优化了工艺。
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公开(公告)号：CN103575590B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310471647.8
申请日：2013-10-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N3/02
Abstract: 本发明公开了一种用于3D‑TSV铜互连材料力学性能测试的原位拉伸试样，所述试样包括试样部分，固定部分和用于夹持试样的夹持部分，所述的试样部分是在硅通孔中形成的圆形金属柱；所述的固定部分为有固定槽的电镀金属；所述的夹持部分为带有定位孔和带网状支撑结构的金属框架。试样与实际生产中TSV‑Cu互连材料主体尺寸基本相同，与实际应用中TSV‑Cu互连材料的成型工艺与结构相同，试样受力方向与铜柱的生长方向一致。能与TSV‑Cu材料在实际中的受力情况很好的匹配。
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公开(公告)号：CN104810347A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510119860.1
申请日：2015-03-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明提出一种碳化硅晶须/聚合物复合材料转接板及制备方法，包括金属柱阵列以及碳化硅晶须/聚合物复合材料薄膜，其中，通过旋涂或电泳的方法制备的碳化硅晶须/聚合物复合材料薄膜构成转接板的基体，金属柱阵列规则分布在碳化硅晶须/聚合物复合材料转接板基体中，并竖直贯穿其中。本发明采用碳化硅晶须/聚合物复合材料作为转接板，与采用纯聚合物材料或玻璃介质作为转接板相比，由于碳化硅晶须的引入使聚合物的导热性能和机械性能有了显著地提高，但又没有增加工艺难度，因而使转接板的整体性能得到提高，有望用于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104711654A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510119926.7
申请日：2015-03-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明提供一种氧化石墨烯/电泳漆复合涂层及其电泳沉积制备方法，所述涂层是一种氧化石墨烯与电泳漆构成的均匀混合涂层，即采用混合镀工艺制备的复合涂层。所述方法包括氧化石墨烯分散液的制备，电泳混合液的配制以及电泳所用电极的准备。将准备好的电极插入配制好的氧化石墨烯/电泳漆电泳混合液中，利用电泳的方法得到氧化石墨烯/电泳漆的复合镀层。该复合镀层与传统的单电泳漆涂层相比，不仅可以提高防腐性能，同时提高漆膜的力学性能，尤其是漆膜的硬度，避免漆膜在使用过程中产生划痕，改善漆膜涂层的外观和使用寿命。
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公开(公告)号：CN104698744A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510051991.0
申请日：2015-01-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种利用软质光刻模板进行曲面薄膜图形化微制造方法，属于微加工技术领域。所述技术将腐蚀溶剂涂在软质弹性模的图形表面，然后附着在要刻蚀的薄膜上，与所述弹性模的凸出图形部位接触的所述薄膜表面受到刻蚀，所述薄膜刻蚀结束后去除所述弹性模，得到要刻蚀的图案结构。本发明由于使用了弹性模代替了光刻中使用的硬模，因此相对于传统的光刻技术，软光刻技术更加灵活，它首先能制造复杂的三维结构并且能在曲面上应用，其次能够在不同化学性质表面上使用,并且可以根据需要改变材料表面的化学性质，另外还能够应用于许多材料上，其应用正在许多方面不断体现出来。
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公开(公告)号：CN103175718A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310039874.3
申请日：2013-02-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铜互连微柱力学性能原位压缩试样及其制备方法，所述试样是在PDMS孔中形成的圆形金属柱，包括试样部分和用于固定试样的固定端部分；所述的固定端部分为圆形或方形平板结构，所述试样部分在所述固定端部分的上端部分。本发明主体尺寸是微米级，试样受力方向与金属柱的生长方向一致，以PDMS为模板基底电镀金属铜柱的工艺克服了TSV在刻蚀硅的过程中，对金属铜柱有所腐蚀，进而影响对其力学性能准确测试的问题，缩短了实验的工艺周期，重现性好，成品率高；有效地解决薄膜层力学性能测试数据不能真实反应TSV孔内铜互连材料力学性能的问题，提高了3D封装设计与仿真模拟中TSV铜互连材料力学特性参数的真实性。
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公开(公告)号：CN101913600B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010264796.3
申请日：2010-08-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种无机纳米材料技术领域的制备石墨烯/半导体量子点复合材料的方法，通过制备单层石墨烯和量子点溶液，再把石墨烯溶液和量子点溶液混合均匀后得到石墨烯/量子点复合材料。本发明采用巯基酸作为稳定剂合成的水溶性量子点，这些量子点表面带有羧基，而化学氧化还原法制备的石墨烯片层表面带有羟基，通过羟基和羧基的共价结合，形成石墨烯与量子点的复合材料，由于石墨烯和量子点可在水中互溶，不需要进行配体置换或修饰，因而大大简化了制备工艺，降低了成本。
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公开(公告)号：CN101913600A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010264796.3
申请日：2010-08-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种无机纳米材料技术领域的制备石墨烯/半导体量子点复合材料的方法，通过制备单层石墨烯和量子点溶液，再把石墨烯溶液和量子点溶液混合均匀后得到石墨烯/量子点复合材料。本发明采用巯基酸作为稳定剂合成的水溶性量子点，这些量子点表面带有羧基，而化学氧化还原法制备的石墨烯片层表面带有羟基，通过羟基和羧基的共价结合，形成石墨烯与量子点的复合材料，由于石墨烯和量子点可在水中互溶，不需要进行配体置换或修饰，因而大大简化了制备工艺，降低了成本。
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