公开(公告)号：CN103945630A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410160647.0

申请日：2014-04-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘景全 ,  郭红磊 ,  杜京城 ,  王昭瑜 ,  唐龙军 ,  陈翔 ,  杨斌 ,  杨春生

IPC: H05H1/26

Abstract: 本发明提供了一种无掩膜刻蚀聚合物薄膜的大气压空气微等离子体射流装置，包括：绝缘圆柱、高压电极、绝缘微针、接地电极、高压低频率电压源和样品，其中：所述高压低频率电压源的高压端与所述高压电极连接、低压端与所述接地电极共地连接；所述绝缘圆柱外接所述绝缘微针和所述高压电极；所述接地电极设置在所述绝缘微针外壁处；所述绝缘微针的端部设置有喷嘴，在所述绝缘微针的喷嘴与所述样品之间存在线宽处于微米尺度的等离子体射流。本发明无需使用真空设备，无需掩膜板，结构简单，操作方便，制作成本低，能非常好地图形化聚合物薄膜，形成微结构，该装置在大规模柔性电子制备中具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN103175718B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310039874.3

申请日：2013-02-01

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 汪红 ,  王昭瑜 ,  程萍 ,  丁桂甫 ,  顾挺 ,  王慧颖 ,  张丛春

IPC: G01N1/28 ,  G01N3/02

Abstract: 本发明公开了一种铜互连微柱力学性能原位压缩试样及其制备方法，所述试样是在PDMS孔中形成的圆形金属柱，包括试样部分和用于固定试样的固定端部分；所述的固定端部分为圆形或方形平板结构，所述试样部分在所述固定端部分的上端部分。本发明主体尺寸是微米级，试样受力方向与金属柱的生长方向一致，以PDMS为模板基底电镀金属铜柱的工艺克服了TSV在刻蚀硅的过程中，对金属铜柱有所腐蚀，进而影响对其力学性能准确测试的问题，缩短了实验的工艺周期，重现性好，成品率高；有效地解决薄膜层力学性能测试数据不能真实反应TSV孔内铜互连材料力学性能的问题，提高了3D封装设计与仿真模拟中TSV铜互连材料力学特性参数的真实性。

公开(公告)号：CN103175718A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310039874.3

申请日：2013-02-01

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 汪红 ,  王昭瑜 ,  程萍 ,  丁桂甫 ,  顾挺 ,  王慧颖 ,  张丛春

IPC: G01N1/28 ,  G01N3/02

Abstract: 本发明公开了一种铜互连微柱力学性能原位压缩试样及其制备方法，所述试样是在PDMS孔中形成的圆形金属柱，包括试样部分和用于固定试样的固定端部分；所述的固定端部分为圆形或方形平板结构，所述试样部分在所述固定端部分的上端部分。本发明主体尺寸是微米级，试样受力方向与金属柱的生长方向一致，以PDMS为模板基底电镀金属铜柱的工艺克服了TSV在刻蚀硅的过程中，对金属铜柱有所腐蚀，进而影响对其力学性能准确测试的问题，缩短了实验的工艺周期，重现性好，成品率高；有效地解决薄膜层力学性能测试数据不能真实反应TSV孔内铜互连材料力学性能的问题，提高了3D封装设计与仿真模拟中TSV铜互连材料力学特性参数的真实性。