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公开(公告)号：CN102598208B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080047559.X
申请日：2010-11-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/02 , B23K20/00 , B23K20/14 , B23K20/24 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/187
Abstract: 本发明具备：通过向第一基板的第一基板表面和第二基板的第二基板表面照射粒子来使第二基板表面和第一基板表面活化的活化步骤(S2)；及在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之后，使第二基板表面与第一基板表面接触，从而将第二基板与第一基板接合的接合步骤(S4)。根据此种接合方法，与在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之前将两基板接合的其他的接合方法相比，能够进一步降低在得到的接合基板上产生的翘曲。
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公开(公告)号：CN101909803B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200880123613.7
申请日：2008-09-29
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B32B37/1009 , B23K20/02 , B32B37/10 , B32B2309/68 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67092 , H01L21/67253
Abstract: 本发明涉及一种常温接合装置及常温接合方法，该常温接合装置具有排气装置、气体供给装置、压力计、清净装置、压力控制器和压接机构。该排气装置从腔室的内部排出气体。该气体供给装置对该腔室的内部供给导入气体。该压力计测量该腔室的内部的压力。该清净装置在该被测量出的压力处于规定的真空度时在该腔室的内部清净第一基板和第二基板。该压力控制器控制该排气装置和该气体供给装置两者，以使该被测量出的压力与目标压力一致。该压接机构在该被测量出的压力为其目标压力时在该腔室的内部压接该第一基板和第二基板。
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公开(公告)号：CN101454113B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200780019998.8
申请日：2007-05-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: B32B38/0008 , B23K20/02 , B23K20/22 , B32B37/14 , B32B2457/00 , B81C3/001 , B81C2203/032 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/58 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供常温接合的器件、器件的制造方法以及常温接合装置。该器件在第一衬底和第二衬底的界面形成生成接合强度的中间材料，在该中间材料层内存多种金属元素。根据溅射时的运转参数，该多种金属元素的界面元素存在比率为0.07以上。这样，将难接合性材料组成的衬底(例如，SiO2类材料衬底)通过常温接合，以实用的接合强度进行接合，从而得到器件。
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公开(公告)号：CN102159356A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980135284.2
申请日：2009-02-19
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B23K20/00 , B23K20/02 , H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67092 , B23K17/00 , B23K37/0408 , B23K37/047 , B23K2101/40 , B29C65/7897 , H01L21/187 , H01L21/6833
Abstract: 本发明的提供一种晶片接合方法和晶片接合装置。该晶片接合方法包括：通过向上侧保持机构(7)施加电压而将第一基板保持在上侧保持机构(7)的步骤；通过接合该第一基板和保持在下侧保持机构(8)的第二基板来生成接合基板的步骤；在上侧保持机构(7)施加交变衰减电压后，从上侧保持机构(7)解除装卡该接合基板的步骤。通过在上侧保持机构(7)施加交变衰减电压，能够降低该接合基板与上侧保持机构(7)之间的残留吸附力，更为可靠且在更短时间从上侧保持机构(7)解除装卡。其结果，晶片接合装置(1)能够在更短时间接合第一基板和第二基板。
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