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公开(公告)号：CN108780833A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016515.2
申请日：2017-03-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L35/14 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/20 , B22F7/06 , C22C13/00 , C22C23/00 , H01L35/26 , H01L35/34
Abstract: 本发明的镁系热电转换材料的特征在于，由Mg2Si构成的第一层和由Mg2SixSn1-x构成的第二层直接接合，其中，x为0以上且小于1，所述第二层在与所述第一层的接合面和接合面附近具有锡浓度过渡区域，在所述锡浓度过渡区域中，越远离所述接合面，锡浓度越增加。在此，接合面设为锡浓度在EDX测定中成为检测限以下的部位。
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公开(公告)号：CN104047052A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410085887.9
申请日：2014-03-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 本发明提供一种半导体装置用硅部件及半导体装置用硅部件的制造方法，该半导体装置用硅部件为由单向凝固硅制成，同时又能发挥与由单晶硅制成的部件几乎相同的性能，且即使体积比较庞大也能够制作的半导体装置用硅部件。该半导体装置用硅部件由切下柱状晶硅锭而制成，所述柱状晶硅锭通过在坩埚底部配置由单晶硅板构成的多个籽晶，并单向凝固坩埚内的熔融硅，从而从多个籽晶中分别生长出单晶而获得。
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公开(公告)号：CN103290473A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310057919.X
申请日：2013-02-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明公开了一种石英坩埚、石英坩埚的制造方法及铸造装置。本发明所涉及的用于制造硅锭的石英坩埚（20）的特征在于，具备底部（21）和从底部（21）的外周部立起的侧壁部（22），并且上方开口，底部（21）与侧壁部（22）相交的交叉部分（23）的内侧向石英坩埚（20）的内方伸展，形成厚度比底部（21）、侧壁部（22）厚的壁厚部（24）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108701749B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201780011454.0
申请日：2017-02-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 本发明的镁系热电转换材料的制造方法具备：原料形成工序，相对于镁系化合物在0.5摩尔％以上且13.0摩尔％以下的范围内添加硅氧化物，形成烧结原料；及烧结工序，一边以10MPa以上的加压力对所述烧结原料进行加压，一边在750℃以上且950℃以下的温度范围内进行加热，从而形成烧结体。
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公开(公告)号：CN111712937A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980012947.5
申请日：2019-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 本发明的热电转换材料的特征在于，由含有掺杂剂的化合物的烧结体构成，并且针对在所述烧结体的截面中观察到的多个化合物粒子，测量每个化合物粒子的掺杂剂浓度，计算出的所述掺杂剂浓度的标准偏差设为0.15以下。在此，所述化合物优选为选自MgSi系化合物、MnSi系化合物、SiGe系化合物、MgSiSn系化合物、MgSn系化合物中的一种或两种以上。
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公开(公告)号：CN109825877A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910292820.5
申请日：2013-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法，即使实施切断加工等时也能够抑制产生裂纹或崩碎或肉眼无法观察的微小龟裂等。本发明的多晶硅锭由单向凝固组织构成，其特征在于，该多晶硅锭无裂纹，最大主应变量为100με以下，优选最大主应变量为50με以下，进一步优选最大主应变量为10με以下。
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公开(公告)号：CN108713259A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015595.X
申请日：2017-03-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 本发明的热电转换模块的特征在于，n型热电转换元件与p型热电转换元件由热膨胀系数互不相同的材料构成，n型热电转换元件的一侧面与p型热电转换元件的一侧面相互排列并接合在共同的绝缘性基板的一侧面，在n型热电转换元件的另一侧面与p型热电转换元件的另一侧面分别独立地形成有导热性部件。
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公开(公告)号：CN108701749A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011454.0
申请日：2017-02-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
CPC classification number: H01L35/34 , B22F3/1039 , B22F3/15 , B22F2003/1051 , B22F2003/175 , B22F2003/185 , B22F2003/208 , C01B33/06 , C04B35/58085 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3418 , C04B2235/3891 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/407 , C04B2235/408 , C04B2235/421 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/6581 , C04B2235/666 , C04B2235/728 , C04B2235/761 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C22C1/05 , C22C1/053 , C22C1/1084 , C22C23/00 , H01L35/22 , H01L35/26 , H01L35/30 , H01L35/32
Abstract: 本发明的镁系热电转换材料的制造方法具备：原料形成工序，相对于镁系化合物在0.5摩尔％以上且13.0摩尔％以下的范围内添加硅氧化物，形成烧结原料；及烧结工序，一边以10MPa以上的加压力对所述烧结原料进行加压，一边在750℃以上且950℃以下的温度范围内进行加热，从而形成烧结体。
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