公开(公告)号：CN1494162A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03160302.5

申请日：2003-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金田充 ,  高桥英树

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/78 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7395

Abstract: 获得可保持双向耐压、且可靠性高的半导体器件及其制造方法和半导体衬底及其制造方法。为此，N－型硅衬底1具有相对的底面和上表面。基于P型杂质的扩散，在N－型硅衬底1的底面内全面形成高浓度的P型杂质扩散层3。而且，基于P型杂质的扩散，在N－型硅衬底1的上表面内局部形成P型隔离区2。P型隔离区2具有抵达P型杂质扩散层3的上表面的底面。另外，当从N－型硅衬底1的上表面一侧观察时，P型隔离区2包围作为N－型硅衬底1的一部分的N－区1a而形成。并且，被P型隔离区2包围的上述N－区1a被规定为N－型硅衬底1的元件形成区。

公开(公告)号：CN101308870B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200710199622.1

申请日：2004-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供绝缘栅型晶体管以及逆变器电路。本发明在FWD内置型的绝缘栅型晶体管中改善二极管动作中的恢复特性，在每个IGBT单元中，形成阱状的P基区层(2)，在其正下方的背面一侧部分中形成集电区P+层(5)以及阴极N+层(4)，各个IGBT单元的P基区层(2)具有1)由主沟槽(6)贯通其底部(2BF)且具有发射区(3)的平坦区(2FR)，2)把平坦区(2FR)夹在中间的第1以及第2侧面扩散区(2SDR1、2SDR2)，第1侧面扩散区(2SDR1)位于阴极N+层(4)的正上方，两个侧面扩散区(2SDR1、2SDR2)的底部(2BS1、2BS2)的纵剖面形状构成缓慢变化的放射线，如果把集电区P+层(5)用阴极N+层(4)置换，则本构造的特征部分还能够适用在功率MOSFET中。

公开(公告)号：CN101308869B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710199621.7

申请日：2004-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供绝缘栅型晶体管以及逆变器电路。本发明在FWD内置型的绝缘栅型晶体管中改善二极管动作中的恢复特性，在每个IGBT单元中，形成阱状的P基区层(2)，在其正下方的背面一侧部分中形成集电区P+层(5)以及阴极N+层(4)，各个IGBT单元的P基区层(2)具有1)由主沟槽(6)贯通其底部(2BF)且具有发射区(3)的平坦区(2FR)，2)把平坦区(2FR)夹在中间的第1以及第2侧面扩散区(2SDR1、2SDR2)，第1侧面扩散区(2SDR1)位于阴极N+层(4)的正上方，两个侧面扩散区(2SDR1、2SDR2)的底部(2BS1、2BS2)的纵剖面形状构成缓慢变化的放射线，如果把集电区P+层(5)用阴极N+层(4)置换，则本构造的特征部分还能够适用在功率MOSFET中。

公开(公告)号：CN100521192C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610059558.2

申请日：2006-03-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/488 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 本发明提供功率半导体元件的芯片尺寸并非由铝导线直径尺寸决定的半导体装置。本发明中，IGBT(1)的发射极上第一和第二连接电极彼此相对地分离并形成，在二极管(2)的阳电极上也彼此相对地分离并形成第一和第二连接电极。从引出电极(4)的一方侧面部(4SP1)向内侧弯曲形成第一电极布线部(5A)，从另一方侧面部(4SP2)与第一电极布线部(5A)相对地分离并形成第二电极布线部(5B)。在与(IGBT1)相对的位置上的第一和第二电极布线部(5A、5B)分别仅与第一和第二连接电极焊接，同样，在与二极管(2)相对的位置上的第一和第二电极布线部(5A、5B)也分别仅与第一和第二连接电极焊接。

公开(公告)号：CN100459159C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200510054479.8

申请日：2005-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 友松佳史 ,  高桥英树 ,  田所千广

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供一种在CSTBT中能够控制栅极电容和短路电流且抑制了阈值电压偏离的绝缘栅型半导体器件。作为在P基极区域(104)和半导体衬底(103)之间形成、并且具有比半导体衬底(103)的杂质浓度高的载流子存储层(113)的CSTBT，其栅电极(110)周边部分的P基极区域(104)部具有沟道功能，在载流子存储层(113)中，设沟道正下方的载流子存储层区域(113a)的杂质浓度为ND1、沟道正下方之外的载流子存储层区域(113b)的杂质浓度为ND2时，ND1＜ND2。

公开(公告)号：CN101308870A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200710199622.1

申请日：2004-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明在FWD内置型的绝缘栅型晶体管中改善二极管动作中的恢复特性，在每个IGBT单元中，形成阱状的P基区层2，在其正下方的背面一侧部分中形成集电区P+层5以及阴极N+层4，各个IGBT单元的P基区层2具有1)由主沟槽6贯通其底部2BF且具有发射区3的平坦区2FR，2)把平坦区2FR夹在中间的第1以及第2侧面扩散区2SDR1、2SDR2，第1侧面扩散区2SDR1位于阴极N+层4的正上方，两个侧面扩散区2SDR1、2SDR2的底部2BS1、2BS2的纵剖面形状构成缓慢变化的放射线，另外，如果把集电区P+层5用阴极N+层4置换，则本构造的特征部分还能够适用在功率MOSFET中。

公开(公告)号：CN101308869A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200710199621.7

申请日：2004-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供绝缘栅型晶体管以及逆变器电路。本发明在FWD内置型的绝缘栅型晶体管中改善二极管动作中的恢复特性，在每个IGBT单元中，形成阱状的P基区层2，在其正下方的背面一侧部分中形成集电区P+层5以及阴极N+层4，各个IGBT单元的P基区层2具有1)由主沟槽6贯通其底部2BF且具有发射区3的平坦区2FR，2)把平坦区2FR夹在中间的第1以及第2侧面扩散区2SDR1、2SDR2，第1侧面扩散区2SDR1位于阴极N+层4的正上方，两个侧面扩散区2SDR1、2SDR2的底部2BS1、2BS2的纵剖面形状构成缓慢变化的放射线，如果把集电区P+层5用阴极N+层4置换，则本构造的特征部分还能够适用在功率MOSFET中。

公开(公告)号：CN100428490C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200410064437.8

申请日：2004-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7806

Abstract: 本发明在FWD内置型的绝缘栅型晶体管中改善二极管动作中的恢复特性，在每个IGBT单元中，形成阱状的P基区层2，在其正下方的背面一侧部分中形成集电区P+层5以及阴极N+层4，各个IGBT单元的P基区层2具有1)由主沟槽6贯通其底部2BF且具有发射区3的平坦区2FR，2)把平坦区2FR夹在中间的第1以及第2侧面扩散区2SDR1、2SDR2，第1侧面扩散区2SDR1位于阴极N+层4的正上方，两个侧面扩散区2SDR1、2SDR2的底部2BS1、2BS2的纵剖面形状构成缓慢变化的放射线，另外，如果把集电区P+层5用阴极N+层4置换，则本构造的特征部分还能够适用在功率MOSFET中。

公开(公告)号：CN101170109A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710136886.2

申请日：2007-07-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  高桥英树 ,  友松佳史

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/43 ,  H01L21/822 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348

Abstract: 在半导体衬底(20)的第二主面(20b)上交互地形成IGBT的p型集电极区(9)和续流二极管的n型阴极区(10)。背面电极(14)在第二主面(20b)上形成，连接p型集电极区(9)和n型阴极区(10)，且从第二主面(20b)侧起具有依次层叠的钛层(11)、镍层(12)和金层(13)。由此可实现不论在绝缘栅型场效应晶体管导通时，还是在续流二极管导通时，均可获得良好导通电压的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN100336229C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200410059229.9

申请日：2004-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树 ,  青野真司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7395

Abstract: 即使在1个芯片内形成IGBT和续流二极管，也能良好地控制IGBT和二极管的二种电特性(导通电压)。在续流二极管内置型IGBT中，将研磨后的晶片厚度D设定为小于等于200μm，将阴极N+层8的厚度T8和P+集电极层9的厚度T9都设定为小于等于2μm。再者，将关于宽度方向X的阴极N+层8和P+集电极层9的宽度的和设定为大于等于50μm至小于等于200μm的范围内。此时，界面IF中P+集电极层9与集电极10的界面IF2所占的比例成为30%～80%的范围内的值。