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公开(公告)号：CN114284336A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111113515.9
申请日：2021-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供抑制了反向偏置安全动作区域的降低的半导体装置。晶体管二极管形成于共通的半导体基板，半导体基板具有晶体管区域二极管区域、将晶体管区域及二极管区域包围的外周区域，晶体管区域由条状的多个栅极电极区分为多个晶体管单位单元区域，二极管区域由多个栅极电极区分为多个二极管单位单元区域，多个晶体管单位单元区域具有在半导体基板的第1主面侧设置的第1导电型的第3半导体层、在第3半导体层的上层部选择性地设置的第2导电型的第4半导体层及第5半导体层，第5半导体层设置为，与在外周区域设置的第1导电型的杂质层接触或侵入至杂质层内。
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公开(公告)号：CN102693964B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210045372.7
申请日：2012-02-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藤井秀纪
IPC: H01L23/60
CPC classification number: H01L23/60 , H01L23/291 , H01L23/3157 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够改善绝缘耐受性的半导体装置。在Si基板（10）（基板）上设置有栅极电阻（7）（下布线）。层间绝缘膜（12）覆盖栅极电阻（7）。在层间绝缘膜（12）上设置有彼此分离的铝布线（5a、5b）（第一以及第二上布线）。半绝缘性的保护膜（4）覆盖铝布线（5a、5b）。在栅极电阻（7）的正上方，在铝布线（5a）和铝布线（5b）之间的区域不设置保护膜（4）。
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公开(公告)号：CN104218099A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410162956.1
申请日：2014-04-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藤井秀纪
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L22/12 , G01K7/01 , H01L21/18 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L29/66992 , H01L29/7397
Abstract: 本发明得到一种半导体装置及其制造方法，其能够使ESD耐量提高，并且使对温度的灵敏度提高。在半导体衬底（1）的正面上形成有氧化膜（16）。在该氧化膜（16）上形成有温感二极管（17）。形成有从半导体衬底（1）的正面向内部延伸的沟槽（25）。在该沟槽（25）内隔着氧化膜（26）填入有沟槽电极（27）。沟槽电极（27）与温感二极管（17）连接。
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公开(公告)号：CN103311121A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210434810.9
申请日：2012-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藤井秀纪
IPC: H01L21/331 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L29/0696 , H01L29/0839 , H01L29/7397
Abstract: 本发明涉及纵型沟槽IGBT及其制造方法，提高纵型沟槽IGBT的RBSOA耐受性。在n－型Si基板（1）上形成p型体层（3）。形成贯通p型体层（3）的沟槽，在沟槽内隔着栅极绝缘膜（5）形成沟槽栅极（4）。在p型体层（3）上形成包含n型杂质的多晶硅膜（16）。使n型杂质从多晶硅膜（16）向p型体层（3）扩散，在p型体层（3）上形成n型发射极层（6）。在n－型Si基板（1）的下表面形成p型集电极层（13）。
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公开(公告)号：CN102693964A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210045372.7
申请日：2012-02-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藤井秀纪
IPC: H01L23/60
CPC classification number: H01L23/60 , H01L23/291 , H01L23/3157 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够改善绝缘耐受性的半导体装置。在Si基板（10）（基板）上设置有栅极电阻（7）（下布线）。层间绝缘膜（12）覆盖栅极电阻（7）。在层间绝缘膜（12）上设置有彼此分离的铝布线（5a、5b）（第一以及第二上布线）。半绝缘性的保护膜（4）覆盖铝布线（5a、5b）。在栅极电阻（7）的正上方，在铝布线（5a）和铝布线（5b）之间的区域不设置保护膜（4）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101640222A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910137163.3
申请日：2009-05-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藤井秀纪
IPC: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/8611
Abstract: PIN二极管具备n-漂移层(6)、p阳极层(8)、n缓冲层(12)、n+层(16)、表面电极(14)和背面电极(18)。n+层(16)的杂质浓度具有台阶形分布，从第二主表面到规定深度大致一定。n缓冲层(12)的杂质浓度从n+层(16)到n-漂移层(6)缓慢地减少。n-漂移层(6)的杂质浓度反映半导体衬底的杂质浓度，相对于深度方向大致一定。p阳极层(8)的杂质浓度从第一主表面到n-漂移层(6)比较急剧地减小。从而，获得按照所适用的产品得到高精度的所希望的特性的半导体装置。
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公开(公告)号：CN115810629A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211102670.5
申请日：2022-09-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 提供使dV/dt的控制性提高，降低了导通损耗的半导体装置。在共通的半导体基板形成晶体管和二极管，具有晶体管区域和二极管区域，二极管区域具有：n型的第1半导体层，其设置于半导体基板的第2主面侧；n型的第2半导体层，其设置于第1半导体层之上；p型的第3半导体层，其与第2半导体层相比设置于半导体基板的第1主面侧；第1主电极，其对二极管赋予第1电位；第2主电极，其对二极管赋予第2电位；以及哑有源沟槽栅极，其是以从半导体基板的第1主面到达第2半导体层的方式设置的，哑有源沟槽栅极在两个侧面的至少一者侧具有未被赋予第1电位而是成为浮置状态的第3半导体层，对哑有源沟槽栅极赋予晶体管的栅极电位。
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公开(公告)号：CN114335137A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111113746.X
申请日：2021-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到降低了RC‑IGBT的二极管区域的恢复损耗的半导体装置。本发明涉及的半导体装置为IGBT区域(10)和二极管区域(20)相邻地设置的RC‑IGBT。在二极管区域(20)中设置：p型阳极层(25)，其与n‑型漂移层(1)相比设置于第1主面侧；p型接触层(24)，其设置于p型阳极层(25)的主面侧且设置于半导体基板的第1主面侧的表层，该p型接触层(24)与发射极电极(6)连接；以及n+型阴极层(26)，其设置于半导体基板的第2主面侧的表层。p型接触层(24)含有铝而作为p型杂质，p型接触层(24)的厚度比在IGBT区域(10)设置的n+型源极层(13)的厚度小。
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公开(公告)号：CN114188394A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111059571.9
申请日：2021-09-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L21/8248 , H01L21/331 , H01L21/329
Abstract: 目的在于，提供改善了二极管动作时的恢复损耗和正向电压降之间的权衡关系的反向导通IGBT。第1复合区域至少设置于第6半导体层中的第7半导体层的第2主面侧且与第7半导体层在俯视观察时重叠的区域。
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公开(公告)号：CN107251234B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201580075783.2
申请日：2015-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/868
Abstract: p型阳极层(2)在有源区域形成于n‑型漂移层(1)的表面。n型缓冲层(7)形成于n‑型漂移层(1)的背面。n型阴极层(8)及p型阴极层(9)相互横向并排地形成于n型缓冲层(7)的背面。n型层(10)在有源区域与终端区域的边界区域，与n型阴极层(8)及p型阴极层(9)横向并排地形成于n型缓冲层(7)的背面。将有源区域的端部作为起点，n型层(10)向有源区域侧伸出的距离是WGR1，满足10μm≤WGR1≤500μm。
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