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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN114335137A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111113746.X

申请日：2021-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 工藤和树 , 藤井秀纪 , 高桥彻雄

IPC: H01L29/06 , H01L27/06

Abstract: 得到降低了RC‑IGBT的二极管区域的恢复损耗的半导体装置。本发明涉及的半导体装置为IGBT区域(10)和二极管区域(20)相邻地设置的RC‑IGBT。在二极管区域(20)中设置：p型阳极层(25)，其与n‑型漂移层(1)相比设置于第1主面侧；p型接触层(24)，其设置于p型阳极层(25)的主面侧且设置于半导体基板的第1主面侧的表层，该p型接触层(24)与发射极电极(6)连接；以及n+型阴极层(26)，其设置于半导体基板的第2主面侧的表层。p型接触层(24)含有铝而作为p型杂质，p型接触层(24)的厚度比在IGBT区域(10)设置的n+型源极层(13)的厚度小。

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