公开(公告)号：CN114041210A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202080047788.5

申请日：2020-03-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岛谷政彰 ,  小川新平 ,  福岛昌一郎 ,  奥田聪志

IPC: H01L31/10

Abstract: 检测灵敏度高并且能够进行关断动作的使用二维材料层的电磁波检测器具备受光元件(4)、绝缘膜(3)、二维材料层(1)、第1电极部(2a)以及第2电极部(2b)。受光元件(4)包括第1导电类型的第1半导体部分(4a)和第2半导体部分(4b)。第2半导体部分(4b)与第1半导体部分(4a)接合。第2半导体部分(4b)是第2导电类型。绝缘膜(3)配置于受光元件(4)上。在绝缘膜(3)形成有开口部(3a)。二维材料层(1)在开口部(3a)与第1半导体部分(4a)电连接。二维材料层(1)从开口部(3a)上延伸至绝缘膜(3)上。第1电极部(2a)配置于绝缘膜(3)上。第1电极部(2a)与二维材料层(1)电连接。第2电极部(2b)与第2半导体部分(4b)电连接。

公开(公告)号：CN113544828A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201980093656.3

申请日：2019-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥田聪志 ,  绵引达郎 ,  玉城朋宏

IPC: H01L21/52 ,  H01L25/10

Abstract: 本发明的目的在于，不会使半导体芯片的面积增加而抑制中间电极的外周部和半导体芯片的表面电极的电气性的接触。第1中间电极(400)的与第1主电极(202、301)的对置面比第1主电极(202、301)的与第1中间电极(400)的对置面小，并具有外周部的保护区域(405)和被保护区域(405)包围的连接区域(404)。压接型半导体装置具备：在连接区域(404)中部分地形成的多个第1导体膜(407)；以及第1绝缘膜(406)，形成于连接区域(404)中的未形成第1导体膜(407)的区域和保护区域(405)。

公开(公告)号：CN110402373B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201780087551.8

申请日：2017-10-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岛谷政彰 ,  小川新平 ,  藤泽大介 ,  奥田聪志

IPC: G01J1/02 ,  H01L31/0248

Abstract: 电磁波检测器包括：受光石墨烯以及参照石墨烯，并排配置于绝缘层之上；第1电极以及第2电极，隔着受光石墨烯以及参照石墨烯而对置配置；栅极电极，对受光石墨烯以及参照石墨烯施加栅极电压；平衡电路，连接于第2电极之间；以及检测电路，受光石墨烯在电磁波入射的情况下由于带内跃迁而产生光载流子，参照石墨烯在电磁波入射的情况下由于泡利阻塞效应而不产生光载流子，在电磁波不入射到受光石墨烯以及参照石墨烯的状态下，平衡电路使第1电极和第2电极成为相同电位，在电磁波入射到受光石墨烯以及参照石墨烯的状态下，检测第2电极之间的电信号。

公开(公告)号：CN107533983A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680025897.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥田聪志 ,  古川彰彦 ,  池田知弘

IPC: H01L21/52 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在压接型半导体装置(1)中，第2半导体芯片(15)上的第2中间电极(25)具有1个以上的第2贯通孔(28)。1个以上的第2贯通孔(28)与被筒体(50)、第1共同电极板(40)以及第2共同电极板(45)气密密封的空间(48)流体分离。由此，压接型半导体装置(1)具有高的可靠性。

公开(公告)号：CN114846628B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202080085891.9

申请日：2020-07-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福岛昌一郎 ,  岛谷政彰 ,  奥田聪志 ,  小川新平

IPC: H10F30/21 ,  G01J1/02 ,  H10F39/10

Abstract: 电磁波检测器具备：半导体层(4)，形成有台阶部(40)，且对于检测波长具有灵敏度；绝缘膜(3)，配置于台阶部(40)上，且设置有使台阶部(40)的一部分露出的开口部(3a)；二维材料层(1)，配置于绝缘膜(3)以及开口部(3a)上，且具有在开口部(3a)与半导体层(4)电连接的连接区域(1c)；第1电极部(2a)，配置于绝缘膜(3)上，与二维材料层(1)电连接；以及第2电极部(2b)，配置于半导体层(4)上，经由二维材料层(1)的连接区域(1c)而与第1电极部(2a)电连接。

公开(公告)号：CN116529571A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180071357.7

申请日：2021-08-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岛谷政彰 ,  小川新平 ,  福岛昌一郎 ,  奥田聪志

IPC: G01J1/02

Abstract: 电磁波检测器(100)具备半导体层(4)、二维材料层(1)、第1电极部(2a)、第2电极部(2b)以及铁电体层(5)。二维材料层(1)与半导体层(4)电连接。第1电极部(2a)与二维材料层(1)电连接。第2电极部(2b)经由半导体层(4)与二维材料层(1)电连接。铁电体层(5)与第1电极部(2a)、第2电极部(2b)以及半导体层(4)的至少任意一个电连接。电磁波检测器(100)构成为对于二维材料层(1)屏蔽从铁电体层(5)产生的电场。或者，铁电体层(5)被配置成在俯视时与二维材料层(1)不重叠。

公开(公告)号：CN115315818A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202080098843.3

申请日：2020-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥田聪志 ,  小川新平 ,  福岛昌一郎 ,  岛谷政彰

IPC: H01L31/108

Abstract: 电磁波检测器(100A)具备：半导体基板(1)；第1绝缘膜(2)，配置于半导体基板上，并且以使半导体基板的一部分露出的方式形成；第1电极(3)，配置于第1绝缘膜上；二维材料层(5)，具有在半导体基板的一部分与半导体基板肖特基接合的接合部(12)，从接合部经由第1绝缘膜之上而延伸至第1电极；第2电极(6)，与半导体基板接触；以及控制电极(7)，在俯视时配置于接合部的周围的至少一部分，并且与半导体基板肖特基接合。

公开(公告)号：CN108701737B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201680081193.5

申请日：2016-02-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岛谷政彰 ,  小川新平 ,  藤泽大介 ,  奥田聪志

IPC: H01L31/10

Abstract: 对电磁波进行光电变换而检测的电磁波检测器包括：基板；绝缘层，设置于基板之上；石墨烯层，设置于绝缘层之上；一对电极，设置于绝缘层之上，分别与石墨烯层的两端连接；以及接触层，被设置成与石墨烯层接触，接触层由具有极性基团的材料构成，接触层与石墨烯层接触，从而在石墨烯层中形成有电荷。

公开(公告)号：CN107533983B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201680025897.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥田聪志 ,  古川彰彦 ,  池田知弘

IPC: H01L21/52 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在压接型半导体装置(1)中，第2半导体芯片(15)上的第2中间电极(25)具有1个以上的第2贯通孔(28)。1个以上的第2贯通孔(28)与被筒体(50)、第1共同电极板(40)以及第2共同电极板(45)气密密封的空间(48)流体分离。由此，压接型半导体装置(1)具有高的可靠性。

公开(公告)号：CN110582851A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201780090213.X

申请日：2017-12-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥田聪志 ,  古川彰彦 ,  清井明

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 目的在于提供不增加IGBT等半导体装置的厚度而能够抑制关断时的浪涌电压的技术。半导体装置具备按照从第1半导体层至第4半导体层的顺序层叠的、分别具有第1导电类型的第1至第4半导体层，还具备基极层、发射极层、栅极电极、集电极层以及集电极电极。在第1至第4半导体层中，第2半导体层的第1导电类型的杂质浓度最低，第3半导体层的第1导电类型的杂质浓度高于第4半导体层的第1导电类型的杂质浓度。