公开(公告)号：CN118302955A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202180102744.2

申请日：2021-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐佐木善伸 ,  嘉藤胜也 ,  山本和也

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/193

Abstract: 本发明涉及功率放大器。FET芯片(T1)具有FET单元(CL1、CL2)、相互分离的基波用栅极焊盘(GP1、G12)和二次谐波用栅极焊盘(GP3)、以及将FET单元(CL1、CL2)的栅极电极(G1、G2)与基波用栅极焊盘(GP1、G12)及二次谐波用栅极焊盘(GP3)连接的栅极配线(GB1、GB2)。预匹配芯片(P1)具有基波用预匹配电路(PA1、PA2)和二次谐波用陷波电路(PA3)。基波用导线(W21、W22)将基波用栅极焊盘(GP1、G12)和基波用预匹配电路(PA1、PA2)连接。二次谐波用导线(W31、W32)将二次谐波用栅极焊盘(GP3)与二次谐波用陷波电路(PA3)连接。

公开(公告)号：CN116325493A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202080105811.1

申请日：2020-12-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐佐木善伸

IPC: H03F3/68

Abstract: 一种多赫蒂放大器，通过第一输入相位延迟电路(2)、载波放大器(4)和第二输出相位延迟电路(7)的路径的通过相位、与通过第二输入相位延迟电路(3)、峰值放大器(5)和第二输出相位延迟电路(7)的路径的通过相位在工作频带上相同。从第一晶体管(10)观察第一晶体管(10)的漏极侧的寄生电容与第一输出相位延迟电路(6)在工作频带的中心频率处构成90度线路。从第二晶体管(12)观察第二晶体管(12)的漏极侧的寄生电容与第二输出相位延迟电路(7)在中心频率处构成0度线路。峰值放大器(5)截止时从合成点(13)观察的由第二晶体管(12)和第二输出相位延迟电路(7)构成的电路的电纳除以频率得到的值相对于频率具有正的斜率。

公开(公告)号：CN112154603A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201880093657.3

申请日：2018-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原内健次 ,  佐佐木善伸 ,  宫下美代 ,  山本和也

IPC: H03F3/68 ,  H01L29/78 ,  H03F3/60 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种放大器，其特征在于，上述放大器具备：输入匹配电路；至少一个放大用晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第一虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第二虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；以及输出匹配电路，输出该放大用晶体管的输出，该放大用晶体管夹在该第一虚设晶体管和该第二虚设晶体管之间，该放大用晶体管、该第一虚设晶体管以及该第二虚设晶体管沿着该输入匹配电路设置成一列。

公开(公告)号：CN111989861A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201880092262.1

申请日：2018-04-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐佐木善伸

IPC: H03F3/185 ,  H03F1/32

Abstract: 本发明涉及在相同金属板上，主要将放大用GaN类芯片与形成有其预匹配电路的GaAs类芯片通过导线而连接的高频功率放大器。本发明涉及的高频功率放大器通过将呈现减极性互感的耦合器设置于GaAs类芯片，从而能够抵消相邻的导线间的互感，能够抑制从GaN类芯片的栅极端子观察信号源时的二次谐波阻抗的相对于频率的扩展，能够将所期望的基波频带处的功率放大器的效率保持得高。

公开(公告)号：CN107068623B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201610827446.0

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  今井翔平 ,  冈村笃司 ,  三轮真一 ,  长明健一郎 ,  佐佐木善伸 ,  堀口健一

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49 ,  H03F3/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。

公开(公告)号：CN105914440B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201610104417.1

申请日：2016-02-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐佐木善伸

IPC: H01P5/08

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制不稳定动作、并且适合小型化的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：输入端子，其固定在封装件；输入预匹配基板，其设置在该封装件之中；半导体元件，其设置在该封装件之中，形成在与该输入预匹配基板不同的基板；匹配电路，其具有形成在该输入预匹配基板的电路元件、将该输入端子与该电路元件连接的第1导线、以及将该电路元件与该半导体元件连接的第2导线；第1MIM电容器，其作为该电路元件的一部分而形成；以及第1稳定化电路，其作为该电路元件的一部分而形成，对振荡进行抑制，该第1MIM电容器的下部电极通过设置在该输入预匹配基板的通路孔与该封装件连接。

公开(公告)号：CN107068623A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610827446.0

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  今井翔平 ,  冈村笃司 ,  三轮真一 ,  长明健一郎 ,  佐佐木善伸 ,  堀口健一

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49 ,  H03F3/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。

公开(公告)号：CN103546108A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310288232.7

申请日：2013-07-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐佐木善伸

IPC: H03F3/20

CPC classification number: H03F3/21 ,  H03F1/0261 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/411 ,  H03F2203/7206

Abstract: 本发明涉及一种功率放大器，能够降低功耗并且使开关速度变快。晶体管（Trb1）根据导通/截止信号对放大器（Tr1）的基极供给偏压。电容（Cb1）连接在放大器（Tr1）的基极与接地点之间。电阻（Rb2）在放大器（Tr1）的基极与接地点之间与电容（Cb1）并联连接。二极管（Db1）与电阻（Rb2）串联连接。二极管（Db1）的开启电压比放大器（Tr1）的导通电压低。