公开(公告)号：CN103368376B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210245918.3

申请日：2012-07-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田村静里 ,  明石宪彦 ,  中武浩

IPC: H02M1/44 ,  H02M5/44

Abstract: 本发明提供一种降噪滤波器及使用该滤波器的功率转换装置，其有效地抑制在噪声源附近产生的辐射噪声。将Y电容器（28a）和Y电容器（28b）作为滤波器电路要素而构成，其中，Y电容器（28a）是在P导体（23）和搭载模块（21）的接地导体（25）的延伸设置部之间夹持绝缘体（26a）而形成的，Y电容器（28b）以接地导体（25）的延伸设置部为基准，配置在P导体（23）的相反侧，是在N导体（24）和接地导体（25）的延伸设置部之间夹持绝缘体（26b）而形成的。

公开(公告)号：CN104205330A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380011905.2

申请日：2013-01-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大开美子 ,  中山靖 ,  宫崎裕二 ,  中武浩

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/072 ,  H01L25/162 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H02M7/537 ,  H05K5/0021 ,  H05K5/0065 ,  H05K7/2039 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块。本发明的电力用半导体模块100具备：电路块(上下分支)101、102，将自消弧式半导体元件6串联连接而构成；正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，与电路块101、102连接；以及布线图案3、4，连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，电路块101、102是多个，与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。

公开(公告)号：CN103098198A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180042203.1

申请日：2011-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木之内伸一 ,  中武浩 ,  海老池勇史 ,  古川彰彦 ,  今泉昌之

IPC: H01L21/822 ,  G01K7/01 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/01 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7828 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够迅速并且正确地检测与内置的半导体晶体管的温度相关的信息的半导体装置。在本发明中，MOSFET（1）具有多个单元，具有：主单元群（2），包括多个单元中的、用于对负载供给电流的单元；以及传感单元群（3），包括用于检测与MOSFET（1）的温度相关的温度信息的单元。对于主单元群（2）和传感单元群（3），表示相对温度的变化的电气特性的变化的温度特性不同。温度检测电路（10）例如根据主单元群（2）中流过的主电流的值和传感单元群（3）中流过的传感电流的值，检测MOSFET（1）的温度。

公开(公告)号：CN101816119B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200880110118.2

申请日：2008-09-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中武浩 ,  福优 ,  奥田达也 ,  角田义一

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H02M1/08 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/162 ,  H03K2217/0036

Abstract: 本发明的目的在于，得到恒流电路中的恒流的上升快，且还实现省电化的栅极驱动电路。栅极驱动电路具备：恒流驱动电路(28)，供给恒流；功率用半导体元件(1)的栅极端子，与上述恒流驱动电路的输出端子连接；比较器(22)，将上述栅极端子的电压与规定的设定电压值进行比较，输出表示高于上述设定电压值的信号；以及驱动控制部(20)，接收使上述功率用半导体元件导通的信号使上述恒流驱动电路的电流增加，接收来自上述比较器的信号使上述恒流驱动电路的电流减少。

公开(公告)号：CN101421910B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780010820.7

申请日：2007-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中武浩 ,  石桥诚司 ,  井手之上慎介 ,  大井健史 ,  木之内伸一 ,  堀口刚司

IPC: H02M1/08 ,  H03K17/08

Abstract: 本发明提供一种当在半导体元件(1)的栅电压未下降完毕的状态下，栅开启的命令来到时，防止半导体元件(1)异常的误检测的装置，仅在与向控制电路(2)输入了开启信号时的半导体元件(1)的控制量Qon相对应的期间内允许对半导体元件(1)的控制量(栅电压)进行检测处理，将在该期间内检测的检测控制量Qt和根据上述控制量Qon设定的控制量比较值Qs进行比较来输出异常信号，并以比正常遮断时的速度慢的速度遮断半导体元件(1)。