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公开(公告)号：CN107492531A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710433694.1
申请日：2017-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中村宏之
IPC: H01L23/48 , H01L23/495 , H01L23/528
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够使安装时的配线简化的半导体装置。半导体装置(1)是半桥结构的半导体装置。半导体装置(1)具备P端子(21)、N端子(22)、功率输出端子(23)、电源端子(25)、GND端子(26)、控制端子(24)、俯视观察时呈矩形形状的封装件(20)，该封装件(20)收容IGBT(2、3)及控制电路(4)。控制端子(24)配置在封装件(20)的与配置有功率输出端子(23)的边相对的边，P端子(21)、N端子(22)、电源端子(25)及GND端子(26)配置在封装件(20)的与配置有功率输出端子(23)的边正交的边。
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公开(公告)号：CN113451243B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110301774.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/49 , H01L21/48
Abstract: 目的在于提供能够针对半导体装置在维持产品的加工性的同时实现散热性的提高的技术。半导体装置(100)具有：功率芯片(2a～2f)；控制芯片(1a、1b)，它们对功率芯片进行控制；功率侧端子(6)，其与功率芯片连接；控制侧端子(5)，其与控制芯片连接；以及模塑树脂(8)，其将功率芯片、控制芯片、功率侧端子的一端侧以及控制侧端子的一端侧覆盖。功率侧端子的另一端侧以及控制侧端子的另一端侧从模塑树脂(8)的侧面向水平方向凸出，并且在中途部向下方弯曲。仅在功率侧端子以及控制侧端子中的功率侧端子的另一端侧形成有从向下方弯曲的部分向接近或者远离模塑树脂(8)的方向凸出的散热部(10)。
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公开(公告)号：CN111987091B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010412371.6
申请日：2020-05-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中村宏之
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供能够抑制封装件的大型化，并且能够调整负反馈量的半导体装置。作为半导体装置的功率模块具有开关元件即IGBT(10)和续流二极管(FWD)(20)，该续流二极管与开关元件并联连接。IGBT(10)在其表面之上具有该IGBT(10)的发射极电极(11)及栅极电极(12)、与它们绝缘的导电性图案(13)。FWD(20)在其表面之上具有该FWD(20)的阳极电极(21)和与其绝缘的导电性图案(22)。
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公开(公告)号：CN111162059B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911059508.8
申请日：2019-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中村宏之
Abstract: 提供在过电流流过导线的状况下该导线容易熔断的半导体装置。导线(W1a)具有：触点(n1)，与半导体元件(S1a)连接；以及触点(n2)，与半导体元件(S1b)连接。导线(W1b)具有：触点(n3)，与半导体元件(S1a)连接；以及触点(n4)，与半导体元件(S1b)连接。导线(W1a)中的位于触点(n1)与触点(n2)之间的部分即线状部(W1ap)具有起伏。导线(W1b)中的位于触点(n3)与触点(n4)之间的部分即线状部(W1bp)具有起伏。线状部(W1ap)的最上部(T1a)与线状部(W1bp)的最上部(T1b)相邻。最上部(T1a)与最上部(T1b)之间的间隔比触点(n1)与触点(n3)之间的间隔窄。最上部(T1a)与最上部(T1b)之间的间隔比触点(n2)与触点(n4)之间的间隔窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109712969B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201811223774.5
申请日：2018-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中村宏之
Abstract: 本发明的目的在于实现功率半导体模块的小型化。本发明的功率半导体模块的制造方法具有下述工序：工序(a)，形成内置多个横型功率晶体管(1UP、1UN、1VP、1VN、1WP、1WN)的功率半导体芯片即6合1芯片(1)；工序(b)，按照与6合1芯片(1)不同的工艺规则形成进行6合1芯片(1)的控制的控制用芯片(3U、3V、3W)；以及工序(c)，使用6合1芯片(1)和控制用芯片(3U、3V、3W)而形成一个功率半导体模块。
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公开(公告)号：CN113451243A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110301774.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/49 , H01L21/48
Abstract: 目的在于提供能够针对半导体装置在维持产品的加工性的同时实现散热性的提高的技术。半导体装置(100)具有：功率芯片(2a～2f)；控制芯片(1a、1b)，它们对功率芯片进行控制；功率侧端子(6)，其与功率芯片连接；控制侧端子(5)，其与控制芯片连接；以及模塑树脂(8)，其将功率芯片、控制芯片、功率侧端子的一端侧以及控制侧端子的一端侧覆盖。功率侧端子的另一端侧以及控制侧端子的另一端侧从模塑树脂(8)的侧面向水平方向凸出，并且在中途部向下方弯曲。仅在功率侧端子以及控制侧端子中的功率侧端子的另一端侧形成有从向下方弯曲的部分向接近或者远离模塑树脂(8)的方向凸出的散热部(10)。
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公开(公告)号：CN112768431A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011109448.9
申请日：2020-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中村宏之
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明的目的在于，在非绝缘型功率模块中，兼顾确保绝缘距离和确保芯片搭载面积。非绝缘型功率模块(101)具有：多个芯片焊盘(3)；多个半导体芯片，它们搭载于多个芯片焊盘(3)的上表面(31)；以及封装件(10)，其将半导体芯片封装，多个芯片焊盘(3)的下表面(32)从封装件(10)的下表面(11)露出，在封装件(10)的下表面(11)的位于多个芯片焊盘(3)之间的区域形成第1槽(12)，就多个芯片焊盘(3)而言，厚度方向的截面形状是梯形，上表面(31)的面积比下表面(32)的面积大。
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公开(公告)号：CN104347611B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410389342.7
申请日：2014-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中村宏之
IPC: H01L25/16 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: G01R31/041 , G01R1/0491 , G01R19/0092 , G01R21/06 , G01R31/261 , G01R31/2623 , G01R31/265 , H01L23/495 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化配线作业的半导体装置。半导体装置PM1具有：半导体元件(绝缘栅型双极晶体管IGBT)(10a)，其具有发射极主电极(N)以及发射极感应电极(ES)；集成电路(IC1)，其具有检测用端子(CIN)；塑膜树脂体(PKG)，其对半导体元件(10a)以及集成电路(IC1)进行封装；以及引线(RD1)。引线(RD1)具有：内部引线部分(31)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极感应电极(ES)电气连接；内部引线部分(30)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极主电极(N)电气连接；以及外部引线部分(40)，其在塑膜树脂体(PKG)的外侧露出，一侧与内部引线部分(31)连接，另一侧与内部引线部分(30)连接。
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公开(公告)号：CN210182363U
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201921583188.1
申请日：2019-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 对半导体模块的尺寸变大进行抑制，并且确保引线端子的绝缘距离。半导体模块具备芯片焊盘(1)、半导体芯片(2a)、引线端子(9)以及模塑树脂(6)，该模塑树脂(6)形成为覆盖引线端子的一部分、芯片焊盘的上表面、以及半导体芯片，该半导体模块的特征在于，还具备第1绝缘树脂(11)，该第1绝缘树脂(11)被涂覆于没有被模塑树脂覆盖的引线端子，第1绝缘树脂是从所形成的模塑树脂的外表面连续地形成的，并且没有形成在与模塑树脂的外表面相比更靠内侧处。
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