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公开(公告)号:CN107925352A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201580082652.7
申请日:2015-09-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M3/155
Abstract: 本发明所涉及的功率转换装置包括:具有半导体开关元件(10A、10B)的功率转换主电路(10);分别驱动半导体开关元件的栅极驱动电路(12A、12B);以及连接在至少1组栅极驱动电路(12A、12B)之间的1个或多个阻抗元件群(16)。至少1个栅极驱动电路(12A、12B)具备对阻抗元件群(16)的电压进行检测的检测部(12A4、12B4),并根据检测部(12A4、12B4)的输出使半导体开关元件(10A、10B)的驱动速度变化。
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公开(公告)号:CN102687270A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201180005358.8
申请日:2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/24 , H01L23/3135 , H01L23/3735 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L29/1608 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12031 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块,具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5),二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域,开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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