公开(公告)号：CN105315679B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201410779783.8

申请日：2014-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  赵娟振 ,  黄丙奎 ,  金补宣 ,  朴玺美 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  韩权愚

IPC: C08L83/16 ,  C09D1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。

公开(公告)号：CN105713512B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510591897.4

申请日：2015-09-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任浣熙 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  朴银秀 ,  姜善惠 ,  金补宣 ,  金相均 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  张俊英 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16

CPC classification number: C09D183/14 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08K5/01 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。