公开(公告)号：CN103794646A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310024226.0

申请日：2013-01-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  张昌洙 ,  宋寅赫 ,  严基宙 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0804

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：第一半导体区，具有第一导电类型；第二半导体区，具有第二导电类型，并且形成在第一半导体区的一个表面上；第三半导体区，具有第一导电类型，并且形成在第二半导体区的一个表面上；栅极电极，形成在穿过第二半导体区和第三半导体区以到达第一半导体区的内部的沟槽中；以及空穴注入单元，形成在栅极电极和第一半导体区之间。

公开(公告)号：CN103532349A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210365744.4

申请日：2012-09-27

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李俊镐 ,  徐范锡 ,  严基宙

IPC: H02M1/08 ,  H02M7/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H03K17/6871 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H03K2217/0081 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了用于电感负载的栅极驱动器电路和逆变器模块，以及逆变器设备。该栅极驱动器电路包括：高侧驱动器，具有第一输出侧以及第一控制侧，并且产生高侧栅极信号；以及低侧驱动器，产生低侧栅极信号，其中，该高侧驱动器包括：形成在第一输出侧上的第一VS焊盘；形成在第一输出侧上的第一输出焊盘；形成在第一控制侧上的第一VB焊盘；以及第二VS焊盘，形成在第一控制侧上相邻于第一VB焊盘并且电连接至第一VS焊盘；以及第一电路单元，连接至多个焊盘，并且通过第一输出焊盘提供高侧栅极信号。

公开(公告)号：CN103872097B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310182197.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 严基宙 ,  宋寅赫 ,  张昌洙 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，该设备包括形成在有源区内的触点，从第一区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成的沟槽栅，形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间的第一导电阱，形成在所述第一终止区中和第二终止区的一部分中的第一导电阱延伸部分，以及形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触的第一导电场限环。

公开(公告)号：CN105322000A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510309950.7

申请日：2015-06-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  金智慧 ,  张昌洙 ,  严基宙 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66348

Abstract: 提供了一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：第一半导体区域，具有第一导电型；多个第二半导体区域，具有第二导电型，并形成在所述第一半导体区域的上部的内部；第三半导体区域，具有第一导电型，并形成在所述第二半导体区域的上部的内部；第一沟槽，形成在所述第一半导体区域的位于所述多个第二半导体区域之间的至少一部分中，所述第一沟槽穿入到所述第一半导体区域的一部分中，所述第一沟槽包括形成在第一沟槽的表面上的绝缘膜以及填充所述第一沟槽的导电材料；栅极，形成在所述第二半导体区域上。所述栅极和所述第一沟槽彼此电连接。

公开(公告)号：CN104465733A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310722649.X

申请日：2013-12-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张昌洙 ,  严基宙 ,  宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0615

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层，具有厚度t1，以耐受600V的反向电压；以及第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层的上部中并具有厚度t2，其中，t1/t2为15至18。

公开(公告)号：CN104347614A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410302847.5

申请日：2014-06-27

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  严基宙 ,  徐东秀

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明公开了功率半导体器件及其制造方法。其中，该功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体区；形成于第一半导体区中并且为第二导电类型的第二半导体区；形成于第二半导体区之上并且为第二导电类型的阱区；以及形成于阱区中并且为第一导电类型的源极区，其中，第二半导体区包括从器件的下部沿该器件的高度方向延伸形成的1至n层，并且在第n层的第二半导体区的最宽宽度为Pn的情况下，P1

公开(公告)号：CN104078494A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201310308658.4

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  朴在勋 ,  严基宙 ,  张昌洙 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，所述功率半导体设备包括：彼此间隔预定距离而形成的多个沟道栅，形成于所述沟道栅之间的电流增强部件，且所述电流增强部件包括第一导电型发射极层和形成于所述沟道栅表面上的栅极氧化层，以及形成于所述沟道栅之间的抗干扰性改善部件，所述抗干扰性改善部件包括第二导电型体层、形成于所述沟道栅表面上的保护膜和厚度小于所述电流增强部件的所述栅极氧化层的厚度的栅极氧化层。

公开(公告)号：CN103872097A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310182197.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 严基宙 ,  宋寅赫 ,  张昌洙 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，该设备包括形成在有源区内的触点，从第一区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成的沟槽栅，形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间的第一导电阱，形成在所述第一终止区中和第二终止区的一部分中的第一导电阱延伸部分，以及形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触的第一导电场限环。

公开(公告)号：CN103795236A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310520179.9

申请日：2013-10-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郑仁和 ,  严基宙 ,  徐范锡 ,  金洸洙 ,  朴珉圭

IPC: H02M1/42

CPC classification number: H02M1/42 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/1584 ,  H02M2001/342 ,  H02M2003/1586 ,  Y02B70/126 ,  Y02B70/1491 ,  Y02P80/112

Abstract: 于此公开了一种功率因数修正电路，包括：升压转换器电路，在该升压转换器电路中，包括升压电感、整流二极管和升压开关的多个升压电路被相互连接；以及限制电路，包括限制电感和限制开关，以限制所述升压转换器电路。所述限制电感被控制为在所述升压电感被接通之前被接通，以将零电压应用至所述升压电感。可以减少在所述升压开关被接通时产生的切换损耗并提高AC-DC电源装置的效率。

公开(公告)号：CN103795235A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310031120.3

申请日：2013-01-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郑仁和 ,  徐范锡 ,  金洸洙 ,  严基宙

IPC: H02M1/42 ,  H02M3/155

CPC classification number: G05F1/70

Abstract: 本发明提供了一种功率因数校正电路及包括该电路的电源装置，该功率因数校正电路包括：主开关单元，包括第一主开关和第二主开关；辅助开关单元包括第一辅助开关和第二辅助开关；电感单元，位于施加输入功率的输入功率端和主开关单元之间，并根据主开关单元的开关操作储电或放电；以及辅助电感，调整在辅助开关单元执行开关操作时辅助开关单元中流动的电流量。