公开(公告)号：CN103151285B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201210524045.X

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  F26B5/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN103295879A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310020701.7

申请日：2013-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  李根泽 ,  高镛璿 ,  金弘镇 ,  裴相元 ,  安时庆 ,  梁凖烈 ,  韩索 ,  金保延 ,  洪命基

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76861

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包含第一金属的第一层；形成包含第二金属的第二层，所述第二层与所述第一层相邻；对所述第一层和第二层的顶面进行研磨；以及使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁。所述清洁溶液可包含对所述第一层和第二层进行腐蚀的腐蚀溶液和防止所述第二层被过度腐蚀的抑制剂。

公开(公告)号：CN1881531A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610093739.7

申请日：2006-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴哲佑 ,  高镛璿 ,  尹炳文 ,  金坰显 ,  李光旭 ,  柳昌吉 ,  河成昊 ,  宋寓锡 ,  田溶明 ,  朴昇栗

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 在处理半导体结构的方法和使用其形成半导体器件的电容器的方法中，可以使用具有小于水的表面张力的清洗溶液来清洗半导体衬底。可以在异丙醇蒸气气氛中干燥半导体结构。

公开(公告)号：CN1654713A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510009448.0

申请日：2005-02-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友FINE-CHEM.株式会社

Inventor： 李光旭 ,  黄寅奭 ,  高镛璿 ,  金坰显 ,  尹炳文 ,  金基燮 ,  李赫镇 ,  金炳默 ,  宋仙英

IPC: C23G5/036 ,  H01L21/30 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/30 ,  C11D3/364 ,  C11D3/39 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/106

Abstract: 一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，该清洁剂包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。该水混合物还可以包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。