-
公开(公告)号：CN101681925A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880021283.0
申请日：2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。薄膜晶体管(TFT)包括含有这样的氧化物半导体的沟道，所述氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。
-
公开(公告)号：CN101335301A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810088615.9
申请日：2008-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。
-
公开(公告)号：CN103579500B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201310349372.0
申请日：2013-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。
-
公开(公告)号：CN102759400B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210115204.0
申请日：2012-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01J1/44
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14623
Abstract: 根据示例实施例，一种光感测装置可以包括光感测像素的阵列、第一栅极驱动器和信号输出单元。每一个光感测像素可以包括被配置为感测光的光传感器晶体管、被配置为输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管、以及在开关晶体管的光入射表面上的导电遮光膜。所述光传感器晶体管和开关晶体管可以具有相同的氧化物半导体晶体管结构。第一栅极驱动器可以被配置为向每一个光感测像素提供栅极电压和负偏置电压。所述信号输出单元可以被配置为从每一个光感测像素接收光感测信号并输出数据信号。
-
公开(公告)号：CN102298970B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110043409.8
申请日：2011-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102997993B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210186006.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G06F2203/04103
Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。
-
公开(公告)号：CN104701452A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410443014.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04R1/00 , B06B1/0292 , H01L21/0237 , H01L21/3043 , H01L21/768 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H04R19/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了电容式微加工超声换能器及其制造方法。该电容式微加工超声换能器包括：器件基板，包括第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽限制对应于多个元件的多个第一部分，第二沟槽限制与多个第一部分分离的第二部分；支撑单元，提供在器件基板上用于限制对应于多个元件的每个的多个空腔；膜，提供在支撑单元上以覆盖多个空腔；上电极，提供在膜上并经由穿过膜和支撑单元的通孔电连接到第二沟槽中的第二部分；以及贯穿硅通路(TSV)基板，提供在器件基板的下表面上并包括连接到多个第一部分的多个第一通路金属和连接到第二部分的第二通路金属。
-
公开(公告)号：CN103860184A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310651552.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01T1/17 , G01T1/247 , G01T1/2928 , H03K21/026 , H04N5/32
Abstract: 本发明提供了用于探测在多能量辐射中包括的光子的光子计数探测器和读出电路。该光子计数探测器包括：光子入射到其上的像素区域，以及偏置电路，其提供偏置电压或电流，其中，偏置电路被布置在像素区域中。
-
公开(公告)号：CN101335301B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200810088615.9
申请日：2008-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。
-
公开(公告)号：CN101473444B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200780022377.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 半导体器件可以包括由以下化学式(1)表示的作为有源层的复合物，化学式1为x(Ga2O3)·y(In2O3)·z(ZnO)，其中约0.75≤x/z≤约3.15且约0.55≤y/z≤约1.70。通过调整与氧化锌(Zn)混合的氧化镓(Ga)和氧化铟(In)的含量并改善光学灵敏度，可以提高显示器的开关性能和驱动晶体管的驱动性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
71
records
(took 0.036 seconds)
