公开(公告)号：CN108241262B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201711135559.5

申请日：2017-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  郑盛骏

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括溶剂、2D碳纳米结构(和/或其衍生物)、和0D碳纳米结构(和/或其衍生物)。

公开(公告)号：CN115802744A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210517382.X

申请日：2022-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌锡 ,  金尚元 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李殷奎

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种垂直沟道单元阵列晶体管结构和包括其的动态随机存取存储器(DRAM)器件。该垂直沟道单元阵列晶体管结构包括：半导体基板；多个沟道，在半导体基板上布置成阵列并且每个从半导体基板垂直地延伸；在所述多个沟道上的栅极绝缘层；多条字线，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及二维(2D)材料层，在所述多条字线中的每条的至少一个表面上。

公开(公告)号：CN115799297A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210498032.3

申请日：2022-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  金尚元 ,  金昌炫 ,  申建旭 ,  李昌锡

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种垂直沟道晶体管包括：第一源/漏电极；第二源/漏电极，在第一方向上与第一源/漏电极间隔开；第一沟道图案，在第一源/漏电极和第二源/漏电极之间；第一栅电极，在第一沟道图案的侧表面上；第一栅绝缘层，在第一沟道图案和第一栅电极之间；以及第一石墨烯插入层，在第一源/漏电极和第一沟道图案之间。

公开(公告)号：CN115196622A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210207355.2

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  卞卿溵 ,  赵连柱 ,  申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  申铉振 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  林炫锡

IPC: C01B32/186

Abstract: 提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。

公开(公告)号：CN103682283B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310421255.0

申请日：2013-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  朴钟辰 ,  朴晋焕 ,  河炯旭

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M4/366 ,  D01D5/0007 ,  D01D5/0069 ,  D01D5/34 ,  D01F1/08 ,  D01F8/18 ,  D01F9/14 ,  H01M4/0411 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/0473 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/625 ,  H01M4/626 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/022 ,  Y02E60/122

Abstract: 提供复合负极活性材料、包括所述复合负极活性材料的负极、包括所述负极的锂电池和制备所述复合负极活性材料的方法。所述复合负极活性材料包括：包括中空碳纤维的壳；和设置在所述中空碳纤维的空洞中的核，其中所述核包括第一金属纳米结构体和导电剂。

公开(公告)号：CN107768331A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y30/00 ,  C08K3/042 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/42

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。

公开(公告)号：CN105319854A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510292394.7

申请日：2015-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和通过使用该硬掩模组合物形成图案的方法。所述硬掩模组合物可包括：溶剂；和包含约0.01原子％-约40原子％氧的2维碳纳米结构体、或其2维碳纳米结构体前体。所述2维碳纳米结构体前体中的氧的含量可低于约0.01原子％或者大于约40原子％。所述硬掩模组合物可用于形成精细图案。