公开(公告)号：CN116995082A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310150204.2

申请日：2023-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高圣勳 ,  金宰浩 ,  权義熙 ,  李旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括彼此相邻的第一像素区域和第二像素区域，基底包括彼此相对的第一表面和第二表面；像素隔离图案，位于基底中以限定第一像素区域和第二像素区域；传输栅极，在第一像素区域中位于基底的第一表面上；浮置扩散区域，与传输栅极的一侧相邻；第一地掺杂剂区域，在第一像素区域中与基底的第一表面相邻；以及第二地掺杂剂区域，在第二像素区域中与基底的第一表面相邻。第一地掺杂剂区域的底表面位于比浮置扩散区域的底表面低的水平处。

公开(公告)号：CN115643759A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210842795.5

申请日：2022-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相炖 ,  金俊成 ,  金智源 ,  金宰浩 ,  成锡江 ,  李钟旻 ,  郑恩宅

IPC: H10B41/10 ,  H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B43/10 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  H10B20/20

Abstract: 公开了半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括：堆叠结构，在第一方向上延伸并且包括垂直堆叠在基板上的栅电极；在堆叠结构上水平间隔开的选择结构；上隔离结构，在选择结构之间并在堆叠结构上沿第一方向延伸；以及穿透堆叠结构和选择结构的垂直结构。垂直结构包括第一垂直结构，该第一垂直结构沿第一方向排列并且穿透上隔离结构的部分。每个选择结构包括选择栅电极和围绕选择栅电极的顶表面、底表面和侧壁表面的水平电介质图案。每个选择栅电极包括在第一方向上延伸的线部分、以及从线部分垂直突出并围绕每个第一垂直结构的至少一部分的电极部分。

公开(公告)号：CN114444249A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111289296.X

申请日：2021-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S·Y·韩 ,  金在珉 ,  金宰浩 ,  都支星 ,  白康铉 ,  辛荣圭 ,  张成熏 ,  赵泳俊 ,  崔允智

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/20

Abstract: 一种半导体设计自动化系统包括：仿真器，其被配置为生成仿真数据；恢复模块，其被配置为校正仿真数据的采样错误以生成恢复仿真数据；硬件数据模块，其被配置为生成真实数据；预处理模块，其被配置为对真实数据进行预处理以生成预处理的真实数据；数据库，其被配置为存储恢复仿真数据和预处理的真实数据；第一图形用户界面，其包括自动仿真生成器，该自动仿真生成器被配置为生成恢复仿真数据和预处理的真实数据的机器学习模型并从机器学习模型生成预测的真实数据；以及第二图形用户界面，其包括可视化单元，该可视化单元被配置为从机器学习模型生成可视化的虚拟化工艺结果。

公开(公告)号：CN110875342A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831497.4

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李旭 ,  宋义永 ,  李光熙 ,  权义熙 ,  金宰浩 ,  安正言卓

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/378

Abstract: 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。

公开(公告)号：CN101819819B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201010126221.5

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰浩 ,  崔正达 ,  金铉宰 ,  吴贤实

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储设备的编程方法，包括：将本地电压施加到第一未选择字线；在将本地电压施加到第一未选择字线后，将本地电压施加到第二未选择字线；并且在本地电压被施加到第二未选择字线后，将通过电压施加到第一未选择字线。这里还提供了相关的设备和系统。

公开(公告)号：CN1969386B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580010346.9

申请日：2005-01-18

Applicant: 汉阳大学校产学协力团 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金太焕 ,  金暎镐 ,  尹钟昇 ,  金宰浩 ,  郑载勋 ,  林圣根 ,  宋文燮

IPC: H01L27/115

Abstract: 本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法，具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布，而不凝聚，所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外，本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅，提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。