公开(公告)号：CN115295619A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210423953.3

申请日：2022-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金傔 ,  金真范 ,  金东宇 ,  申东石 ,  李商文 ,  李承勋

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：包含有源图案的基板、在有源图案上的沟道图案和源极/漏极图案、提供在沟道图案上并在第一方向上延伸的栅电极、以及联接到源极/漏极图案的有源接触。有源接触包括掩埋在源极/漏极图案中的掩埋部分以及在掩埋部分上的接触部分。掩埋部分包括提供在源极/漏极图案的下部中的扩展部分以及将接触部分连接到扩展部分的垂直延伸部分。

公开(公告)号：CN113889533A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110748137.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金茶惠 ,  金真范 ,  金傔 ,  金度希 ,  金东宇 ,  李承勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：包括鳍型有源区的衬底，鳍型有源区在第一方向上延伸；在鳍型有源区上的多个沟道层，多个沟道层包括在垂直于衬底的上表面的方向上彼此脱离直接接触的最上面的沟道层、最下面的沟道层和居间的沟道层；围绕多个沟道层并在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅电极；在多个沟道层和栅电极之间的栅极绝缘膜；以及电连接到多个沟道层的源极/漏极区。在沿第二方向截取的截面中，最上面的沟道层具有比居间的沟道层的宽度大的宽度。

公开(公告)号：CN113130629A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010998536.2

申请日：2020-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河龙 ,  金东宇 ,  金傔 ,  金容丞 ,  朴判贵 ,  李承勋

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；沟道图案，在有源图案上，并且包括竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在有源图案中的凹部中；栅电极，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极围绕每个半导体图案的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖栅电极的侧表面，并且具有向半导体图案的开口，其中，源极/漏极图案包括覆盖凹部的内侧的缓冲层，缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且外侧表面和内侧表面中的每一个是朝向栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。

公开(公告)号：CN112909074A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202011282169.2

申请日：2020-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金傔 ,  金东宇 ,  李智惠 ,  金真范 ,  李商文 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底上的有源区；有源区上的沟道区；在有源区上邻近沟道区的源极/漏极区；沟道区上与沟道区交叠的栅极结构；源极/漏极区上的接触结构；接触结构和栅极结构之间的栅极间隔物；以及围绕接触结构的侧表面的接触间隔物。源极/漏极区包括具有凹陷表面的第一外延区、以及第一外延区的凹陷表面上的第二外延区，并且第二外延区包括延伸部，延伸部在水平方向上从在竖直方向上与接触结构交叠的部分延伸，并且在竖直方向上与接触间隔物交叠。

公开(公告)号：CN107527911A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710469526.8

申请日：2017-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  朴起宽 ,  金东宇 ,  申东石

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。