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公开(公告)号：CN101106174A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710104174.2
申请日：2007-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0078
Abstract: 本发明涉及用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件。根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。
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公开(公告)号：CN101101793A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127820.7
申请日：2007-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C17/16 , G11C13/0004 , G11C17/165
Abstract: 提出了一种对一次可编程器件进行编程的方法。将衬底中设置的开关器件导通，并且向与开关器件电连接的熔丝施加编程电流从而切断熔丝。所述熔丝包括：第一电极，与开关器件相连；第二电极，与第一电极间隔开；以及硫族化物图案，设置在第一电极与第二电极之间。还公开了相关的一次可编程器件、相变存储器件和电子系统。
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公开(公告)号：CN1622360A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095711.8
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 提供了相变存储器件和制造相变存储器件的方法，相变存储器件包括布置在衬底上的加热电极。加热电极包括加热电极中的电极孔。相变材料图形设置在电极孔中并接触电极孔的侧壁。在某些实施例中，电极孔贯穿加热电极。在某些实施例中，相可变材料图形仅仅在电极孔的侧壁处接触电极。
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公开(公告)号：CN110619922B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201910444511.5
申请日：2019-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/56 , G11C29/54 , G06F30/27 , G11C13/00 , G06F18/241
Abstract: 提供了一种半导体故障分析装置及其故障分析方法。所述故障分析方法包括：接收所测量到的对应于半导体器件的测量数据；基于所述测量数据和参考数据生成双采样数据；对所述双采样数据执行故障分析操作；基于所述故障分析操作的结果对所述半导体器件的故障类型进行分类；以及输出关于所述故障类型的信息。
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公开(公告)号：CN116467996A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310097735.X
申请日：2023-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F115/12
Abstract: 一种模拟由半导体工艺制造的集成电路的布局的方法，包括：从定义布局的布局数据中提取多个图案布局；通过放大多个图案布局和从半导体工艺提供的至少一个参数来生成训练数据；通过对训练数据进行采样生成样本数据；从样本数据生成包括三维阵列的特征数据；将样本数据和特征数据分别提供给模拟器和机器学习模型；以及基于机器学习模型的输出和模拟器的输出训练机器学习模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116205126A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211511038.6
申请日：2022-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/27 , G06N3/0475 , G06N3/084 , G06N3/086
Abstract: 提供了一种用于优化和/或改进半导体器件的模拟器参数的设备。该设备包括：存储器，被配置为存储进化池和输入张量‑分数对；以及处理器，被配置为对进化池中的生成器网络进行采样，初始化评价网络以训练被采样的生成器网络，从训练后的生成器网络生成输入张量，初始化模拟器以对输入张量执行黑盒操作以及输出分数作为操作的结果，以及将输入张量和分数作为输入张量‑分数对存储在存储器中，当输出分数大于最小分数时，将在黑盒操作中使用的信息存储在进化池中，对存储的信息进行排序，以及更新进化池，使得只有预设数量的信息留在进化池中。
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公开(公告)号：CN116187155A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211500153.3
申请日：2022-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/27 , G06F30/17 , G16C60/00 , G06F111/04
Abstract: 一种为设计模拟器生成最佳输入数据的方法，该设计模拟器响应于与输入参数有关的输入数据提供与输出参数有关的输出数据。该方法包括：生成包括样本输入数据和样本输出数据的训练数据；根据使用训练数据训练的估计模型从输入参数中选择影响多个输出参数的至少一个基本输入参数；并根据与至少一个基本输入参数对应的基本输入数据和样本输出数据生成最佳输入数据。
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公开(公告)号：CN113870173A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110724775.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T7/00 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06N20/00 , H01L21/027
Abstract: 一种用于半导体制造工艺的邻近校正方法，包括：从多个样本区域产生多条原始图像数据，其中样本区域从半导体制造工艺中使用的布局数据中选择；从多条原始图像数据中去除彼此重叠的一些条原始图像数据，导致多条输入图像数据；将多条输入图像数据输入到机器学习模型；从机器学习模型获得包括在多条输入图像数据中的目标图案的临界尺寸的预测值；在半导体制造工艺在其上被执行的半导体衬底上测量对应于目标图案的实际图案的临界尺寸的结果值；以及使用预测值和结果值来执行机器学习模型的学习。
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公开(公告)号：CN110619922A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910444511.5
申请日：2019-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体故障分析装置及其故障分析方法。所述故障分析方法包括：接收所测量到的对应于半导体器件的测量数据；基于所述测量数据和参考数据生成双采样数据；对所述双采样数据执行故障分析操作；基于所述故障分析操作的结果对所述半导体器件的故障类型进行分类；以及输出关于所述故障类型的信息。
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公开(公告)号：CN1996609A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610172083.8
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫化物元件，该硫化物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫化物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫化物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫化物材料的第一可编程体积限定在硫化物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫化物材料的第二可编程体积限定在硫化物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。
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