公开(公告)号：CN105976349A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610135002.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴民哲 ,  金大新 ,  金赛彬 ,  金世珍 ,  夏志良 ,  李济铉

IPC: G06T7/00

Abstract: 本发明提供一种使用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)图像的晶粒分析方法和系统。所述方法涉及分析纳米晶粒，包括：接收HRTEM图像，针对HRTEM图像设置每个具有预定大小的局部窗口，对通过局部窗口确定的像素数据执行至少一次快速傅里叶变换以计算局部转换数据，基于局部转换数据分析晶粒。

公开(公告)号：CN116467996A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310097735.X

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张铉在 ,  金宗沅 ,  许仁 ,  金赛彬 ,  金铃九 ,  南润俊 ,  郑椙旭 ,  车文铉

IPC: G06F30/392 ,  G06F115/12

Abstract: 一种模拟由半导体工艺制造的集成电路的布局的方法，包括：从定义布局的布局数据中提取多个图案布局；通过放大多个图案布局和从半导体工艺提供的至少一个参数来生成训练数据；通过对训练数据进行采样生成样本数据；从样本数据生成包括三维阵列的特征数据；将样本数据和特征数据分别提供给模拟器和机器学习模型；以及基于机器学习模型的输出和模拟器的输出训练机器学习模型。

公开(公告)号：CN105976349B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201610135002.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴民哲 ,  金大新 ,  金赛彬 ,  金世珍 ,  夏志良 ,  李济铉

IPC: G06T7/00 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明提供一种使用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)图像的晶粒分析方法和系统。所述方法涉及分析纳米晶粒，包括：接收HRTEM图像，针对HRTEM图像设置每个具有预定大小的局部窗口，对通过局部窗口确定的像素数据执行至少一次快速傅里叶变换以计算局部转换数据，基于局部转换数据分析晶粒。