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公开(公告)号:CN1873989A
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN200610071834.7
申请日:2006-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 柳春基
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明提供一种能够增大ON电流值且降低OFF电流值的薄膜晶体管(TFT)、具有该多晶硅TFT的TFT基板、制造该多晶硅TFT的方法、以及制造具有该多晶硅TFT的TFT基板的方法。该多晶硅TFT基板包括定义象素区域的栅极线和数据线、形成在该象素区域中的象素电极、以及TFT,该TFT包括栅极电极、源极电极、漏极电极、以及多晶硅有源层。该多晶硅有源层包括该栅极电极叠置在其上的沟道区域、分别连接至该源极和漏极电极的源极和漏极区域、以及分别形成在该源极区域与该沟道区域之间以及在该漏极区域与该沟道区域之间的至少两个轻掺杂漏极(LDD)区域,该LDD区域具有彼此不同的杂质浓度。
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公开(公告)号:CN1862789A
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:CN200510048858.6
申请日:2005-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/78
Abstract: 提供一种薄膜晶体管阵列面板,其包括:半导体层;在半导体层上的第一绝缘层;包括第一非晶硅层和金属的栅极线;覆盖栅极线的第二绝缘层;和形成在第二绝缘层上的第二数据线。通过提供具有良好粘接性的非晶硅层,可以形成信号线的各种锥形结构。金属层和非晶硅层之间的粘接性可以通过进行热处理工艺来提高,从而可以减小其间的接触电阻。相应地,可以提高TFT的特性和可靠性。
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公开(公告)号:CN1760741A
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:CN200510092151.5
申请日:2005-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/1368 , G02F2001/136222 , G02F2202/104
Abstract: 一种液晶显示装置,包括第一衬底和与第一衬底相对的第二衬底。第一衬底具有反射区域和透射区域。第一衬底包括第一绝缘衬底,设置在第一绝缘衬底上的多晶硅层并具有通道区域,栅极布线,所述栅极布线包括安置在通道区域、源极区域和漏极区域上的栅电极,其中源极区域和漏极区域彼此通过通道区域相分离,数据布线,所述数据布线包括分别与源极区域和漏极区域相电学连接的源电极和漏电极,设置在数据布线上的有机层,设置在有机层上的反射层,并限定反射区域,设置在反射层上的滤色镜层,以及设置在滤色镜层上的象素电极层并电学地与漏电极相连接。
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公开(公告)号:CN1617034A
公开(公告)日:2005-05-18
申请号:CN200410090833.8
申请日:2004-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 柳春基
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器,其包括栅极线;与栅极线交叉的数据线;分别与栅极线中一条和数据线中一条连接的开关元件;与开关元件连接的像素电极;与栅极线或数据线连接,具有与向数据线或栅极线提供驱动信号的驱动电路输出端连接的输出接触部的信号线。此时,信号线通过由栅极线、数据线或像素电极同一层组成的两个以上导电层形成,在输出接触部除去至少一个导电层。
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公开(公告)号:CN101349847B
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN200810092812.8
申请日:2008-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2001/13625
Abstract: 一种显示基板,所述显示基板包括底部基板、第一金属图案、第二金属图案、第一透明导电层以及第二透明导电层。第一金属图案形成于底部基板上,并且包括栅极线和连接到栅极线的栅电极。第二金属图案包括横过栅极线的数据线、连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极。第一透明导电层包括覆盖第二金属图案的覆盖层以及形成于像素区域中的共用电极。第二透明导电层包括像素电极,所述像素电极具有多个开口、接触覆盖漏电极的覆盖层并面对共用电极。
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公开(公告)号:CN101188243B
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN200710305142.9
申请日:2007-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/13454 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/124
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板包括基板、形成在基板上的栅线和栅驱动电路部分的栅层信号传输线、形成在栅线和栅层信号传输线上且具有暴露一部分栅层信号传输线的第一接触孔的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的半导体层、形成在栅绝缘层和半导体层上的包括源电极的数据线及漏电极、形成在栅绝缘层上并通过第一接触孔连接到栅层信号传输线的栅驱动电路部分的数据层信号传输线、连接到漏电极的像素电极以及形成在数据线、漏电极和驱动电路部分的数据层信号传输线上的钝化层。数据线、漏电极和数据层信号传输线具有包括下层、中间层和上层的三层结构,且下层由与像素电极相同的层形成。
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公开(公告)号:CN101136413B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200710137191.6
申请日:2007-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板和制造该薄膜晶体管阵列面板的方法。该薄膜晶体管阵列面板包括形成于多条栅线的多个端部上的钝化层。钝化层的一部分具有形成于柔性印刷电路基板和薄膜晶体管基板的连接部分之间的多孔结构,使得当柔性印刷电路基板和薄膜晶体管阵列面板相互连接时,具有多孔结构并形成于其间连接部分的钝化层将柔性印刷电路基板与薄膜晶体管阵列面板连接,从而最小化了连接部分的金属的暴露面积以改善其抗腐蚀性能。
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公开(公告)号:CN1913163B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200610110142.9
申请日:2006-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1237 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/78621
Abstract: 薄膜晶体管衬底及其制造方法。衬底包括第一和第二导电型金属氧化物半导体(MOS)晶体管。第一导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第一导电型低浓度掺杂区的第一半导体层,与第一导电型低浓度掺杂质区相邻的第一导电型源/漏极区,形成在第一半导体层上的第一栅绝缘层,形成在第一栅绝缘层上并与沟道区和第一半导体层的低浓度掺杂质区重叠的第二栅绝缘层,形成在第二栅绝缘层上的第一栅极。第二导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第二导电型源/漏极区的第二半导体层,形成在第二半导体层上的第一栅绝缘层,形成在第一栅绝缘层上并与第二半导体层重叠的第二栅绝缘层,形成在第二栅绝缘层上的第二栅极。
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公开(公告)号:CN1617034B
公开(公告)日:2010-04-07
申请号:CN200410090833.8
申请日:2004-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 柳春基
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器,其包括栅极线;与栅极线交叉的数据线;分别与栅极线中一条和数据线中一条连接的开关元件;与开关元件连接的像素电极;与栅极线或数据线连接,具有与向数据线或栅极线提供驱动信号的驱动电路输出端连接的输出接触部的信号线。此时,信号线通过由栅极线、数据线或像素电极同一层组成的两个以上导电层形成,在输出接触部除去至少一个导电层。
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公开(公告)号:CN100524701C
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200510125777.1
申请日:2005-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法,其包括:在基板上形成包括栅电极、漏电极、源电极及半导体的薄膜晶体管;在源电极及漏电极上形成第一钝化层;在第一钝化层上形成透明导电层;使用光刻胶作为蚀刻掩模,蚀刻透明导电层,以露出第一钝化层的一部分并形成与漏电极连接的像素电极;将第一钝化层和光刻胶抛光;以及去除光刻胶。
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