薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管基板的方法

    公开(公告)号:CN1873989A

    公开(公告)日:2006-12-06

    申请号:CN200610071834.7

    申请日:2006-03-16

    Inventor: 柳春基

    Abstract: 本发明提供一种能够增大ON电流值且降低OFF电流值的薄膜晶体管(TFT)、具有该多晶硅TFT的TFT基板、制造该多晶硅TFT的方法、以及制造具有该多晶硅TFT的TFT基板的方法。该多晶硅TFT基板包括定义象素区域的栅极线和数据线、形成在该象素区域中的象素电极、以及TFT,该TFT包括栅极电极、源极电极、漏极电极、以及多晶硅有源层。该多晶硅有源层包括该栅极电极叠置在其上的沟道区域、分别连接至该源极和漏极电极的源极和漏极区域、以及分别形成在该源极区域与该沟道区域之间以及在该漏极区域与该沟道区域之间的至少两个轻掺杂漏极(LDD)区域,该LDD区域具有彼此不同的杂质浓度。

    半透射LCD装置和形成其的方法

    公开(公告)号:CN1760741A

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN200510092151.5

    申请日:2005-08-23

    Abstract: 一种液晶显示装置,包括第一衬底和与第一衬底相对的第二衬底。第一衬底具有反射区域和透射区域。第一衬底包括第一绝缘衬底,设置在第一绝缘衬底上的多晶硅层并具有通道区域,栅极布线,所述栅极布线包括安置在通道区域、源极区域和漏极区域上的栅电极,其中源极区域和漏极区域彼此通过通道区域相分离,数据布线,所述数据布线包括分别与源极区域和漏极区域相电学连接的源电极和漏电极,设置在数据布线上的有机层,设置在有机层上的反射层,并限定反射区域,设置在反射层上的滤色镜层,以及设置在滤色镜层上的象素电极层并电学地与漏电极相连接。

    液晶显示器
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1617034A

    公开(公告)日:2005-05-18

    申请号:CN200410090833.8

    申请日:2004-11-12

    Inventor: 柳春基

    CPC classification number: G02F1/136213 G02F1/13458 G02F1/136227 H01L27/3276

    Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器,其包括栅极线;与栅极线交叉的数据线;分别与栅极线中一条和数据线中一条连接的开关元件;与开关元件连接的像素电极;与栅极线或数据线连接,具有与向数据线或栅极线提供驱动信号的驱动电路输出端连接的输出接触部的信号线。此时,信号线通过由栅极线、数据线或像素电极同一层组成的两个以上导电层形成,在输出接触部除去至少一个导电层。

    显示基板和所述显示基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101349847B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN200810092812.8

    申请日:2008-05-04

    CPC classification number: G02F1/1368 G02F2001/13625

    Abstract: 一种显示基板,所述显示基板包括底部基板、第一金属图案、第二金属图案、第一透明导电层以及第二透明导电层。第一金属图案形成于底部基板上,并且包括栅极线和连接到栅极线的栅电极。第二金属图案包括横过栅极线的数据线、连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极。第一透明导电层包括覆盖第二金属图案的覆盖层以及形成于像素区域中的共用电极。第二透明导电层包括像素电极,所述像素电极具有多个开口、接触覆盖漏电极的覆盖层并面对共用电极。

    薄膜晶体管面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101188243B

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200710305142.9

    申请日:2007-10-08

    Inventor: 金奉柱 柳春基

    Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板包括基板、形成在基板上的栅线和栅驱动电路部分的栅层信号传输线、形成在栅线和栅层信号传输线上且具有暴露一部分栅层信号传输线的第一接触孔的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的半导体层、形成在栅绝缘层和半导体层上的包括源电极的数据线及漏电极、形成在栅绝缘层上并通过第一接触孔连接到栅层信号传输线的栅驱动电路部分的数据层信号传输线、连接到漏电极的像素电极以及形成在数据线、漏电极和驱动电路部分的数据层信号传输线上的钝化层。数据线、漏电极和数据层信号传输线具有包括下层、中间层和上层的三层结构,且下层由与像素电极相同的层形成。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101136413B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200710137191.6

    申请日:2007-07-30

    Inventor: 朴鲜 柳春基

    CPC classification number: H01L27/12 H01L27/124 H01L27/1248

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板和制造该薄膜晶体管阵列面板的方法。该薄膜晶体管阵列面板包括形成于多条栅线的多个端部上的钝化层。钝化层的一部分具有形成于柔性印刷电路基板和薄膜晶体管基板的连接部分之间的多孔结构,使得当柔性印刷电路基板和薄膜晶体管阵列面板相互连接时,具有多孔结构并形成于其间连接部分的钝化层将柔性印刷电路基板与薄膜晶体管阵列面板连接,从而最小化了连接部分的金属的暴露面积以改善其抗腐蚀性能。

    薄膜晶体管衬底及其制造方法

    公开(公告)号:CN1913163B

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200610110142.9

    申请日:2006-08-07

    Inventor: 朴庆珉 柳春基

    Abstract: 薄膜晶体管衬底及其制造方法。衬底包括第一和第二导电型金属氧化物半导体(MOS)晶体管。第一导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第一导电型低浓度掺杂区的第一半导体层,与第一导电型低浓度掺杂质区相邻的第一导电型源/漏极区,形成在第一半导体层上的第一栅绝缘层,形成在第一栅绝缘层上并与沟道区和第一半导体层的低浓度掺杂质区重叠的第二栅绝缘层,形成在第二栅绝缘层上的第一栅极。第二导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第二导电型源/漏极区的第二半导体层,形成在第二半导体层上的第一栅绝缘层,形成在第一栅绝缘层上并与第二半导体层重叠的第二栅绝缘层,形成在第二栅绝缘层上的第二栅极。

    液晶显示器
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1617034B

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:CN200410090833.8

    申请日:2004-11-12

    Inventor: 柳春基

    CPC classification number: G02F1/136213 G02F1/13458 G02F1/136227 H01L27/3276

    Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器,其包括栅极线;与栅极线交叉的数据线;分别与栅极线中一条和数据线中一条连接的开关元件;与开关元件连接的像素电极;与栅极线或数据线连接,具有与向数据线或栅极线提供驱动信号的驱动电路输出端连接的输出接触部的信号线。此时,信号线通过由栅极线、数据线或像素电极同一层组成的两个以上导电层形成,在输出接触部除去至少一个导电层。

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