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公开(公告)号：CN101197189B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200710305187.6
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628
Abstract: 提供了一种闪存装置以及对该装置的编程方法。该闪存装置包括多个存储多位数据的存储单元，该多位数据表示第一状态到第四状态中的至少一种并且包括最高有效位和最低有效位。该方法包括根据最低有效位将多个存储单元编程为临时状态，以及根据最高有效位将多个存储单元从第一状态和临时状态编程为第二状态到第四状态。将多个存储单元编程为第二状态到第四状态包括在一个编程操作周期期间将多个存储单元至少部分地同时编程为至少两种状态。
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公开(公告)号：CN102385918A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110248483.3
申请日：2011-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/406 , G11C16/0483 , G11C16/10 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种操作非易失性存储器件的方法包括：将一个或多个字线(WL)地址但不是全部WL地址存储到锁存器中，所述WL布置在串选择线(SSL)与地选择线(GSL)之间；从锁存器中选择第一WL；对与串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，与所述SSL相关联的存储单元构成存储块；以及验证对与所选择的第一WL相关联的存储单元的擦除操作。
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公开(公告)号：CN101009139B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200710003749.1
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C2211/5621
Abstract: 一种具有与多个存储单元相连接的第一位线和第二位线的闪存设备的编程方法，其中所述存储单元用于存储指示多个状态之一的多位数据。该编程方法包括：利用多位数据编程存储单元，该存储单元连接到选择的行以及第一位线或第二位线；以及重新编程已编程的存储单元，该已编程的存储单元连接到直接布置在所选择的行下面的行以及所述第一位线或所述第二位线，由此增加由于高温应力(HTS)而减小的所述多个状态的相邻状态之间的读出边界。
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公开(公告)号：CN100527277C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510108634.X
申请日：2005-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一方面，提供了一种可在编程模式和读出模式中操作的非易失性存储器设备。该存储器设备包括具有多个非易失性存储器单元、多条字线、和多条位线的存储器单元阵列。该存储器设备还包括用于输出从存储器阵列的位线读出的数据的内部数据输出线、和可操作性地连接在存储器单元阵列的位线和内部数据输出线之间的页面缓存器。该页面缓存器包括选择性地连接到位线的检测节点、具有选择性地连接到检测节点的锁存节点的锁存电路，在编程模式和读出模式中设置锁存节点的逻辑电压的锁存输入路径、和从锁存输入路径分离并且根据锁存节点的逻辑电压设置内部数据输出线的逻辑电压的锁存输出路径。
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公开(公告)号：CN101369453A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810171455.4
申请日：2008-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C29/806 , G11C29/844
Abstract: 一种闪存存储器设备，包括多个存储块，解码器，配置成响应块选择信号选择至少一个所述存储块，以及控制器，配置成响应于块地址产生所述块选择信号。当块地址对应不良块时，所述控制器产生块选择信号以使得所述解码器中断对应于块地址的存储块的选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101188142A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710199927.2
申请日：2007-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3454 , G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元。所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括通过第一校验电压执行的第一校验读取操作、确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元。重编程所选择的存储器单元包括通过第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。
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公开(公告)号：CN101154463A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710004056.4
申请日：2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，所述器件包括第一泵时钟产生器，配置用于基于第一电源电压产生第一泵时钟信号。所述器件还包括第一电荷泵，配置用于响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压。所述器件还包括第二泵时钟产生器，配置用于基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号。所述器件还包括第二电荷泵，配置用于响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压。所述器件还包括第三泵时钟产生器，配置用于基于第一电源电压产生第三泵时钟信号。所述器件还包括第三电荷泵，配置用于响应于第三泵时钟信号产生第三泵输出电压。
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公开(公告)号：CN101009139A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710003749.1
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C2211/5621
Abstract: 一种具有与多个存储单元相连接的第一位线和第二位线的闪存设备的编程方法，其中所述存储单元用于存储指示多个状态之一的多位数据。该编程方法包括：利用多位数据编程存储单元，该存储单元连接到选择的行以及第一位线或第二位线；以及重新编程已编程的存储单元，该已编程的存储单元连接到直接布置在所选择的行下面的行以及所述第一位线或所述第二位线，由此增加由于高温应力(HTS)而减小的所述多个状态的相邻状态之间的读出边界。
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公开(公告)号：CN1929028A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610006392.8
申请日：2006-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C8/08 , G11C16/08
Abstract: 本发明涉及一种NAND类型的非易失性半导体存储器件，其包括单元串，单元串包括伪单元，伪单元插入在所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元之间，并且串行连接到所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元。该NAND类型的非易失性半导体存储器件还包括适合用于激活伪字线以选通伪单元的伪字线驱动器。
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公开(公告)号：CN1112706C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN97120088.2
申请日：1997-10-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: G11C29/765
Abstract: 一种具有由多个标准单元块和冗余单元块组成的存储单元阵列的半导体存储器，包括：相应于标准单元块设置的多个标志单元块，每块存储了关于其相应的标准单元块的唯一个信息；及用修复块替换标准单元块的故障块的装置，所述修复块包括冗余块和一块或多块标准单元块，在故障块数量超过冗余块数量时，一块或多块标准单元块按一定顺序参与替换工作，该半导体存储器的功能是不用用户的参与，便能自动进行坏块映射，从而将准可用块按顺序设置于主存储单元阵列中。
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