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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118689296A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410337091.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/324 , G06F1/3237
Abstract: 公开了执行时钟门控的半导体设备及其操作方法。所述半导体设备包括：知识产权(IP)块，被配置为基于第一时钟信号和电源电压进行操作；时钟门控电路，被配置为基于电源电压进行操作，并通过基于使能信号对第二时钟信号选择性地执行时钟门控来生成第一时钟信号；以及关键路径监视器(CPM)，被配置为生成具有根据电源电压的电压降而变化的值的数字代码，并且基于数字代码的值与参考值的比较来激活使能信号。
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公开(公告)号：CN118553783A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410212956.1
申请日：2024-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L21/306
Abstract: 本公开提供了半导体器件结构及其形成方法。公开了一种用于在半导体器件中形成瓶颈形背侧接触结构的系统和方法，其中瓶颈形背侧接触结构具有部分地在第一源极/漏极结构内的第一侧、接触背侧电源轨的第二侧以及从第一侧延伸到背侧电源轨的衬垫。衬垫包括由Ta硅化物衬垫或Ti硅化物衬垫构成的第一区域、由Ti/TiN衬垫构成的第二区域以及由Ta硅化物衬垫或Ti硅化物衬垫构成的第三区域。背侧接触结构包括具有正斜率的第一部分以及与第一部分相邻、不具有斜率的第二部分。
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公开(公告)号：CN118213344A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311713402.1
申请日：2023-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 为了实现用于背面配电网络的更高接触质量，提供了到半导体器件的背面接触、具有该背面接触的半导体单元及其制造方法，该背面接触具有正斜率和电介质侧壁衬垫。
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公开(公告)号：CN112992686A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010945564.8
申请日：2020-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/535 , H01L27/02
Abstract: 一种半导体装置包括：晶体管，其位于衬底上；第一层间绝缘层，其位于晶体管上；第一层间绝缘层的上部分中的第一下互连线和第二下互连线；以及分别位于第一下互连线和第二下互连线上的第一过孔和第二过孔。第一下互连线的线宽大于第二下互连线的线宽。第一下互连线和第二下互连线中的每一个包括第一金属图案。第一下互连线还包括第二金属图案，第二金属图案位于第一金属图案上并包含与第一金属图案的金属材料不同的金属材料。第二金属图案不存在于第二下互连线中。第二过孔包括分别与第一层间绝缘层的顶表面和第二下互连线的顶表面接触的第一部分和第二部分，并且第二部分的底表面的最低水平高度低于第一过孔的底表面的最低水平高度。
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公开(公告)号：CN101299442A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810008714.1
申请日：2008-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42324 , H01L21/28273 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 一种存储器件包括衬底中的相邻隔离层之间的衬底上的第一浮栅电极，该第一浮栅电极的至少一部分在相邻隔离层的一部分上面突出；第二浮栅电极，在相邻隔离层的至少一个上，电连接到第一浮栅电极；该第一和第二浮栅电极上方的介电层；以及该介电层及第一和第二浮栅电极上方的控制栅。
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