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公开(公告)号：CN116487398A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310041963.5
申请日：2023-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括传感器衬底，该传感器衬底包括多个感光单元；透明间隔物层，设置在传感器衬底上；以及分色透镜阵列，设置在间隔物层之上并且包括多个纳米柱，该多个纳米柱被配置为根据入射光的入射位置来改变入射光的相位，其中，多个纳米柱布置在多个层中，其中，在多个纳米柱中，宽度小于wc的纳米柱可以仅布置在多个层中的任一层中。此外，wc可以大于或等于80nm并且小于或等于200nm。因此，可以增加设置在分色透镜阵列中的纳米柱的最小宽度，这有利于制造工艺。
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公开(公告)号：CN116294670A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211390795.2
申请日：2022-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： W.洪 , 崔岘焘 , D.许 , 权宁千 , 权赫柱 , 金嘉姬 , 金保成 , 金廷勋 , 金辰宇 , 朴珉植 , 朴永珍 , 徐亨兑 , 吴原硕 , 李东宣 , 李相润 , 张宰准 , 张峻源 , 全贤贞 , 赵俊基 , 崔炳权 , 崔源提 , 崔伦硕 , 河泰信
Abstract: 提供了一种热交换器和包括热交换器的热交换系统。热交换器包括目标区域和流路结构，在目标区域中提供用于热交换的目标。流路结构包括：至少一个入口；至少一个出口；第一流路，连接到所述至少一个入口和所述至少一个出口中的每个，并且沿着目标区域的第一侧延伸；以及第二流路，连接到所述至少一个入口和所述至少一个出口中的每个，并且沿着目标区域的不同于第一侧的第二侧延伸。
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公开(公告)号：CN115966578A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211224033.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：分色透镜阵列，包括分别与多个第一像素相对应的多个第一像素对应区域和分别与多个第二像素相对应的多个第二像素对应区域，其中，所述多个第一像素对应区域和所述多个第二像素对应区域中的每一个包括多个纳米柱，并且在围绕所述分色透镜阵列的中心部分的外围部分中，所述多个第一像素对应区域的多个纳米柱的形状、宽度和布置中的至少一项根据多个纳米柱的方位角方向改变。
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公开(公告)号：CN115810643A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211092411.9
申请日：2022-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种用于获得超高分辨率图像的图像传感器。该图像传感器包括二维布置的多个像素，该多个像素中的每一个包括：第一超颖光电二极管，选择性地吸收红色波段的光；第二超颖光电二极管，选择性地吸收绿色波段的光；以及第三超颖光电二极管，选择性地吸收蓝色波段的光。图像传感器的多个像素中的每一个的宽度可以小于衍射极限。
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公开(公告)号：CN114447009A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111244057.2
申请日：2021-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 提供了一种包括分色透镜阵列的图像传感器。所述图像传感器包括：传感器基板，包括被配置为感测第一波长光的第一像素和被配置为感测第二波长光的第二像素；以及分色透镜阵列，包括第一波长光会聚区域，所述第一波长光会聚区域中的第一波长光会聚到所述第一像素上，其中，所述第一波长光会聚区域的面积大于所述第一像素的面积，并且所述传感器基板与所述分色透镜阵列之间的距离小于所述第一波长光会聚区域对于所述第一波长光的焦距。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114447007A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111224188.4
申请日：2021-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/372 , H04N9/04
Abstract: 提供了一种图像传感器，包括：传感器基板，包括被配置为感测入射在所述传感器基板上的光的第一光敏单元和第二光敏单元；分色透镜阵列，被配置为改变第一波长光的相位和第二波长光的相位，以使所述第一波长光行进到所述第一光敏单元并且使所述第二波长光行进到所述第二光敏单元；以及光谱整形层，包括分别具有第一折射率的多个纳米结构、和设置在所述多个纳米结构之间并且具有第二折射率的介电材料，所述光谱整形层设置在所述传感器基板与所述分色透镜阵列之间，并且被配置为通过反射和/或吸收穿过所述分色透镜阵列的光的一部分，对入射在所述传感器基板上的光的光谱分布进行整形。
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公开(公告)号：CN114070958A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202011610102.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 一种图像处理方法包括：基于输入图像的暗通道图来确定源传输图；通过将不同的滤波器应用于确定出的源传输图来确定变换后的传输图；通过分别基于确定出的变换后的传输图从输入图像中去雾来生成无雾图像；以及通过混合所生成的无雾图像来生成输出图像。
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公开(公告)号：CN1891754B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200610093726.X
申请日：2006-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/122 , C08G61/126 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机聚合物半导体化合物，使用该化合物形成有机聚合物半导体薄膜的方法，和使用该化合物的有机薄膜晶体管。本发明的实施方式涉及侧链含有可除去的取代基的有机聚合物半导体化合物，同时涉及使用该有机聚合物半导体化合物作为有机活性层的有机薄膜晶体管，其具有较低的泄漏电流、较高的电荷载流子迁移率，和/或较高的开-关比。
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公开(公告)号：CN100514696C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610003637.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C08L101/04
CPC classification number: H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN100477127C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510098014.2
申请日：2005-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0021 , B82Y10/00 , H01L51/0015 , H01L51/0046 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开一种制备薄膜晶体管的方法，其中通过溶液法形成源极和漏极，因而包括电极在衬底上的形成、绝缘体层的形成和有机半导体层的形成的所有阶段，都是通过溶液法进行的。在该方法中，制造过程被简化，制造成本被降低。由于具有高电荷迁移率，所以该有机薄膜晶体管可以应用于需要高速转换的集成电路中。
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