公开(公告)号：CN110172348A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910140377.X

申请日：2019-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： J.A.金 ,  元裕镐 ,  金星祐 ,  金泰亨 ,  李晶姬 ,  张银珠

IPC: C09K11/88 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；包围所述芯的第一壳，所述第一壳包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成；包围所述第一壳的第二壳，所述第二壳包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙；和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。

公开(公告)号：CN107433746A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710294080.X

申请日：2017-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康玄雅 ,  元那渊 ,  张银珠 ,  权河一 ,  李晶姬 ,  O.曹 ,  菊地智幸

IPC: B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06 ,  B32B27/18 ,  B32B27/28 ,  C08G75/045

CPC classification number: H01L33/505 ,  B32B27/00 ,  C08F222/26 ,  C08G75/045 ,  C08K3/346 ,  C08K3/36 ,  C09D181/00 ,  G02F1/1336 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2202/36 ,  H01L27/322 ,  H01L33/502 ,  H01L51/502 ,  B32B9/00 ,  B32B9/045 ,  B32B27/06 ,  B32B27/18 ,  B32B27/28 ,  B32B2457/20

Abstract: 公开层状结构体和量子点片材以及包括其的电子装置。所述层状结构体具有第一层，所述第一层包括包含如下的单体组合的聚合产物：在其末端处具有至少两个硫醇基团的第一单体、和在其末端处具有至少两个包含碳-碳不饱和键的基团的第二单体，其中所述第一单体包括：包含巯基乙酸酯部分的由化学式1-1表示的第一硫醇化合物、和由化学式1-2表示的第二硫醇，和其中所述第二单体包括由化学式2表示的烯化合物，其中在化学式1-1、1-2、和2中，基团和变量与说明书中描述的相同。化学式1-1 化学式1-2化学式2

公开(公告)号：CN107369754A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710330399.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： O.曹 ,  张银珠 ,  康玄雅 ,  金泰亨 ,  李晶姬

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56

CPC classification number: G02B6/0026 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: 提供了光转换装置、其制造方法、包括该光转换装置的光源模块以及包括光转换装置的背光单元。光转换装置包括：框架，通过该框架，入射光从光源接收并且转换的光从光转换装置发射，该框架包括开口和围绕开口的壁，通过该开口，从光源接收第一颜色的光，并且从该开口，第二颜色的光从光转换装置发射；基板，在开口中并由壁支撑；光转换层，设置在基板上并从光源接收第一颜色的光，光转换层包括将第一颜色的光转换成第二颜色的光的光转换颗粒；第一无机层，设置在光转换层上；以及第一有机层，设置在第一无机层上。

公开(公告)号：CN106893136A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201611165946.9

申请日：2016-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶姬 ,  康玄雅 ,  金泰亨 ,  张银珠 ,  元那渊 ,  柳志昊

IPC: C08K3/30 ,  C08K3/34 ,  C08K3/22 ,  C08L23/08 ,  C08J3/12

CPC classification number: C09K11/025 ,  B05D3/007 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C08K3/16 ,  C08K3/32 ,  C08K9/04 ,  C08K2201/001 ,  C08K2201/005 ,  C08K2201/011 ,  C08L23/0869 ,  C09K11/02 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/95 ,  C08K3/30 ,  C08J3/12 ,  C08J2323/08 ,  C08K3/22 ,  C08K3/346 ,  C08K2003/2227 ,  C08L2203/20

Abstract: 提供量子点‑聚合物微粉化复合物、其制造方法、以及包括其的制品和电子器件。所述量子点‑聚合物微粉化复合物包括：第一聚合物基体；分散在所述第一聚合物基体中的多个量子点；以及选自如下的添加剂的至少一种：嵌入所述第一聚合物基体中的粘土颗粒和分散在所述第一聚合物基体中的金属卤化物，其中所述量子点‑聚合物微粉化复合物具有小于或等于约100微米的平均粒度。

公开(公告)号：CN103372431B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310051521.5

申请日：2013-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰坤 ,  任承宰 ,  金泰亨 ,  李晶姬

IPC: B01J23/66 ,  C25B1/04 ,  C02F1/30

CPC classification number: B01J27/25 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/66 ,  B01J23/72 ,  B01J27/135 ,  B01J35/004 ,  B01J37/0081 ,  B01J37/30 ,  C01B3/042 ,  C02F1/30 ,  C02F1/4672 ,  C02F1/725 ,  C02F2101/30 ,  C02F2303/04 ,  C02F2305/10 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  Y02W10/37

Abstract: 本发明涉及对可见光敏感的光催化剂、其制法及含其的分解池和系统。所述对可见光敏感的光催化剂由通过异质结结合的至少两种金属氧化物的复合物组成，其中各金属氧化物包括具有nd10的电子排布的金属，其中n是3、4或5，其中所述金属之间的键具有小于所述金属之间的范德华距离的长度，其中所述复合物具有约1.0eV到约2.5eV的带隙能量。

公开(公告)号：CN101106165A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710110357.5

申请日：2007-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永俊 ,  李殷成 ,  李晶姬 ,  朴商喆 ,  南政圭

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00

CPC classification number: H01G9/2022 ,  B82Y10/00 ,  H01G9/2031 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0086 ,  H01L51/444 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了使用载催化剂的碳纳米管的光电池及其制备方法。更具体地，所述光电池包括：光阳极、包含载有金属催化剂颗粒的碳纳米管层的阴极和布置在光阳极和阴极之间的电解液。所述光电池由于增大的接触面积和电导率，在制造成本和工艺步骤方面是节约的，且表现出提高的催化活性，得到优异的光电效应。

公开(公告)号：CN101067911A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200610171138.3

申请日：2006-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白瓒郁 ,  李晶姬 ,  许廷娜 ,  郑得锡 ,  郑太远 ,  闵庚源

IPC: G09G3/20 ,  H01J31/12 ,  H01J29/02

CPC classification number: G09G3/32 ,  G09G3/2014 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2310/066 ,  G09G2320/043

Abstract: 本发明涉及一种驱动场发射器件(FED)的方法。该方法包括在场发射器件中使用交流(AC)电压作为驱动电压以发射电子，场发射器件包括具有发射体的阴极电极和面对该阴极电极的阳极电极。AC电压用于防止电弧且还激活电子发射源。一种熟化FED的方法，当FED被熟化时，使用恒定电压使得电子不能从电子发射源发射，且使用AC电压使得电子可以从发射体周期性地发射。

公开(公告)号：CN110240896B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201910180450.6

申请日：2019-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元裕镐 ,  金星祐 ,  J.A.金 ,  李晶姬 ,  金泰亨 ,  张银珠

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及量子点以及包括其的电致发光器件和电子器件。量子点包括：包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯；以及设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫，其中所述量子点不包括镉，并且在所述量子点中，硫相对于硒的摩尔比小于或等于约2.4:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括其的电子器件。

公开(公告)号：CN108865109B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201810447024.X

申请日：2018-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶姬 ,  张银珠 ,  康玄雅 ,  金泰亨

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  H10K50/115 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的电子器件，所述半导体纳米晶体颗粒包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)。在所述半导体纳米晶体颗粒中，碲的量小于硒的量，所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料的壳，和所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于约470纳米的波长处的最大发射峰的蓝色光。

公开(公告)号：CN110858632A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910785624.1

申请日：2019-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： J.A.金 ,  元裕镐 ,  金星祐 ,  金泰亨 ,  李晶姬 ,  张银珠

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  B82Y30/00

Abstract: 公开量子点器件和量子点。所述量子点包括：芯，所述芯包括包含锌硫属化物的第一半导体纳米晶体；和设置在所述芯上的壳，所述壳包括锌、硫、和硒，其中所述量子点具有大于10nm的平均颗粒尺寸，其中所述量子点不包括镉，和其中所述量子点的光致发光峰存在于大于或等于约430nm且小于或等于约470nm的波长范围内。