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公开(公告)号:CN116631967A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310148424.1
申请日:2023-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件可以包括其中包含多个孔隙的第一层间绝缘膜、在第一层间绝缘膜中的第一线结构、沿着第一层间绝缘膜的上表面且在第一层间绝缘膜的上表面上延伸并且与第一层间绝缘膜接触的插入绝缘膜、与插入绝缘膜接触并沿着插入绝缘膜的上表面和第一线结构的上表面延伸的阻挡绝缘膜、在阻挡绝缘膜上的第二层间绝缘膜、以及设置在第二层间绝缘膜中并连接到第一线结构的第二线结构。
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公开(公告)号:CN103371851A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201310157839.1
申请日:2013-05-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B8/00
CPC classification number: H05K7/20336 , B06B1/0292 , G01N29/2406 , G01N29/326 , H05K1/0204 , H05K2201/064 , H05K2201/09072 , H05K2201/10598
Abstract: 在此公开的是一种超声波探头,在被结合到cMUT的集成电路中产生的热从所述超声波探头被释放。所述超声波探头包括:换能器,产生超声波;集成电路,安装在换能器的后表面上;印刷电路板,安装在集成电路的后表面上,并具有开口,以使集成电路的后表面部分地暴露;散热器,具有插入到印刷电路板的开口中的突起,并吸收在集成电路中产生的热;散热模块,将由散热器吸收的热释放到外部。
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