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公开(公告)号:CN101388222B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200810098710.7
申请日:2008-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括:衬底;形成于所述衬底上的软磁层;形成于所述软磁层上的衬层;以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层,其中,所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
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公开(公告)号:CN101093673B
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN200710085011.4
申请日:2007-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录媒质。该垂直磁记录媒质包括:形成在衬底上的垂直磁记录层;和至少一个软磁衬层,形成在该衬底与垂直磁记录层之间,其中所述软磁衬层由非磁材料和磁材料的合金形成,该磁材料以粒状纳米颗粒的形式存在于非磁材料的基体中,且该磁纳米颗粒以规则间距彼此分隔,从而相互形成反铁磁耦合。在根据本发明的垂直磁记录媒质中,由于形成软磁衬层的磁材料以小颗粒形式存在于非磁基体中且粒状颗粒相互形成反铁磁耦合,因此可以抑制多颗粒畴的形成,从而使软磁衬层的噪声最小化。
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公开(公告)号:CN101022009B
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN200610159511.3
申请日:2006-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/3967
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录头及其制造方法。该垂直磁记录头在垂直磁记录介质上记录信息或从其读取信息。该垂直磁记录头包括线圈、主极和返回极。线圈用作产生磁场的源。主极和返回极构成该磁场的磁路径。主极包括面对该垂直磁记录介质的末端。该末端包括相对于该垂直磁记录介质的移动方向用作前侧的前导部和用作后侧的尾部。该尾部的两个边缘被切,该前导部具有相对于ABS倾斜的平面。返回极具有与该主极间隔开的末端和与该主极连接的另一端。
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公开(公告)号:CN101506888A
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200780030376.5
申请日:2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B21/02
CPC classification number: G11B5/4833 , G11B2005/0021
Abstract: 公开了一种用于硬盘的头万向节组件,用于热辅助磁盘记录介质,其中激光二极管被使用从而以高密度记录信息,且公开了组装这样的头万向节组件的方法。用于硬盘的该头万向节组件包括:多个悬臂,其每个设置有磁头,该磁头相邻于对应的盘的表面来定位从而记录/复制信息;头万向节体,具有居中形成的枢转孔,该枢转孔允许该头万向节体以相对于盘可旋转的方式装配,所述悬臂从该头万向节体的一端延伸;线圈转子,设置在该头万向节体的另一端从而绕该枢转孔旋转该头万向节体;以及激光组件,具有一个或多个激光二极管和一个或多个波导,从任一所述激光二极管发射的光被所述波导引导到对应的磁头。根据本发明,因为头万向节组件具有激光二极管用于增大磁盘的数据记录密度,激光二极管不固定到悬臂而是固定到用作头万向节组件的支承件的头万向节体,所以头万向节组件产生的热可以有效地降低。此外,因为悬臂的外围光学部件的数量得到减少,所以磁头的飞行能平滑地进行,从而高密度数据的记录/复制能有效进行。
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公开(公告)号:CN101441873A
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN200810212611.7
申请日:2008-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种磁记录介质及其制造方法,为了增大磁记录介质的记录密度,所述磁记录介质被构造为通过连续地形成具有薄膜状的第一磁层和包括图案化的磁比特的第二磁层的多个磁层。第一磁层具有大于第二磁层的磁各向异性系数的磁各向异性系数。
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公开(公告)号:CN101388222A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200810098710.7
申请日:2008-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括:衬底;形成于所述衬底上的软磁层;形成于所述软磁层上的衬层;以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层,其中,所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
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公开(公告)号:CN100447860C
公开(公告)日:2008-12-31
申请号:CN200610058382.9
申请日:2006-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3163
Abstract: 本发明提供了一种磁性记录头及其制造方法。该磁性记录头具有包括主磁极和返回磁极的堆叠结构。该堆叠结构包括:第一绝缘层,在一个表面上具有阶梯部分;第一磁性部分,具有接触阶梯部分的阶梯竖直部分的垂直薄膜的形状;第二磁性层,设置成与第一磁性部分绝缘。制造该磁性记录头的方法包括:形成在一个表面上具有阶梯部分的第一绝缘层;沿着阶梯部分在第一绝缘层上形成磁性薄膜;通过在预定的时间段内刻蚀磁性薄膜直到仅留下磁性薄膜的接触阶梯部分的阶梯竖直部分的垂直薄膜部分为止,形成主磁极。
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公开(公告)号:CN101034559A
公开(公告)日:2007-09-12
申请号:CN200610148546.7
申请日:2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质,包括:衬底;垂直磁记录介质,形成在所述衬底之上;软磁衬层,设置在所述衬底和所述垂直磁记录层之间;分流层,设置在所述软磁衬层之下;及隔离层,设置在所述软磁衬层和所述分流层之间并提供所述分流层和形成在所述分流层之上的其它层之间的磁隔离。分流层与形成在该分流层之上的其它磁层磁隔离,并且使软磁衬层的磁畴壁产生的磁场分流从而该磁场不能到达磁头,由此增加信噪比(SNR)。
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公开(公告)号:CN1838242A
公开(公告)日:2006-09-27
申请号:CN200610058382.9
申请日:2006-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3163
Abstract: 本发明提供了一种磁性记录头及其制造方法。该磁性记录头具有包括主磁极和返回磁极的堆叠结构。该堆叠结构包括:第一绝缘层,在一个表面上具有阶梯部分;第一磁性部分,具有接触阶梯部分的阶梯竖直部分的垂直薄膜的形状;第二磁性层,设置成与第一磁性部分绝缘。制造该磁性记录头的方法包括:形成在一个表面上具有阶梯部分的第一绝缘层;沿着阶梯部分在第一绝缘层上形成磁性薄膜;通过在预定的时间段内刻蚀磁性薄膜直到仅留下磁性薄膜的接触阶梯部分的阶梯竖直部分的垂直薄膜部分为止,形成主磁极。
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