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公开(公告)号：CN118522333A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410177406.0
申请日：2024-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34 , G11C16/08 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/24 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/12 , G11C8/06 , G11C8/08
Abstract: 存储器装置包括其中布置有多个存储器单元的单元区域以及外围电路区域，通过多条字线连接到多个存储器单元的行解码器、通过多条位线连接到多个存储器单元的多个页缓冲器、以及控制行解码器和多个页缓冲器的控制逻辑布置在外围电路区域中。行解码器将具有不同电平的多个读电压依次输入到多条字线之中的选择的字线。多个页缓冲器中的每一个包括连接到多条位线之一的感测节点。在多个读电压中的每一个被输入到选择的字线的同时不同地减小多个页缓冲器的一部分页缓冲器中包括的感测节点的电压。
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公开(公告)号：CN115938441A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211224415.8
申请日：2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开了在包括具有多个状态的多个存储器单元的非易失性存储器装置中读数据的方法和非易失性存储器装置，该多个状态包括第一状态和第二状态。在该方法中，执行针对第一状态的第一读取操作，执行针对第二状态的第二读取操作。为了执行第一读取操作，通过执行针对第一状态的谷单元计数操作获得针对第一状态的谷的单元计数，基于单元计数和针对第一状态的至少一个第一参考参数确定针对第一状态的第一读取电压电平，通过使用第一读取电压电平来执行针对第一状态的第一感测操作。为了执行第二读取操作，基于单元计数和第二状态的至少一个第二参考参数确定针对第二状态的第二读取电压电平，通过使用针对第二读取电压电平执行针对第二状态的第二感测操作。
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公开(公告)号：CN114664354A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111581392.1
申请日：2021-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器件可以包括存储块和控制电路。存储块可以包括第一子块和第二子块，第一子块和第二子块连接在公共源极线与多条位线之间并且可以竖直堆叠。控制电路可以被配置为基于第一子块和第二子块的位置，选择公共源极线和多条位线中的一者作为擦除电压的传输路径，并以子块为单位对第一子块和第二子块执行擦除操作。
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公开(公告)号：CN113889169A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110742339.9
申请日：2021-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种控制器包括：控制引脚，用于向非易失性存储器提供控制信号；缓冲存储器，被配置为存储第一至第三表格；以及纠错码(ECC)电路，被配置为纠正根据第一读取命令从非易失性存储器中读取的第一数据中的错误，其中，第一表格存储第一偏移信息、第二表格存储第二偏移信息，并且第三表格存储第三偏移信息，其中，第三偏移信息与历史读取电平相对应并且通过第一和第二偏移信息来确定，并且当第一数据的错误不可纠正时，由非易失性存储器根据第二读取命令来执行片上谷搜索操作，根据特定命令来接收片上谷搜索操作的检测信息，并且生成与检测信息相对应的第二偏移信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114974338B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202210181050.9
申请日：2022-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索(OVS)电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。
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公开(公告)号：CN119479716A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410623022.7
申请日：2024-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器装置和存储器装置的操作方法。该存储器装置包括存储器单元阵列、控制读取操作以从每个页读取硬判决数据和软判决数据的控制逻辑、以及包括与硬判决数据的感测有关的第一锁存器和与软判决数据的感测有关的第二锁存器的页缓冲器。控制逻辑控制执行在第一感测时序将基于第一偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第一感测操作、以及在第二感测时序将基于第二偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第二感测操作，并且执行控制操作以在第一感测操作中将设定信号SET提供到第二锁存器，并且在第二感测操作中将重置信号RST提供到第二锁存器。
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公开(公告)号：CN118298882A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311778646.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种操作包括存储器单元阵列的存储器装置的方法、一种存储器装置和一种存储器系统。存储器单元阵列包括多个存储器单元和连接到多个存储器单元的多条字线。该方法包括：通过调整施加到与用于改善存储器单元读出特性而要被额外读取的存储器单元连接的选择的字线WLN的电压电平以及施加到多条未选择的字线WLUnselect的电压电平，对多个存储器单元执行额外的读操作；以及通过将施加到多条未选择的字线WLUnselect之中的至少一条第一字线的电压电平调整为与在额外的读操作中施加到所述至少一条第一字线的电压电平不同，对多个存储器单元执行主读操作。
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公开(公告)号：CN109817266B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201811345556.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种擦除存储设备的方法，所述擦除存储设备的方法包括：在第一擦除时段，对分别连接到多个字线的存储单元执行第一擦除操作，其中，包括在存储块中的存储单元之中的至少一个存储单元没有擦除通过；在第一擦除时段之后，通过向所述多个字线之中的至少一个字线施加验证电压来确定擦除操作速度，并基于确定的擦除操作速度来确定用于每个字线的有效擦除时间；以及在第二擦除时段，基于确定的有效擦除时间，对分别连接到所述多个字线的存储单元执行第二擦除操作。
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公开(公告)号：CN114974338A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210181050.9
申请日：2022-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索(OVS)电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。
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