公开(公告)号：CN110556397A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910160093.7

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  金宽植 ,  李范硕 ,  林海敏 ,  赵万根

IPC: H01L27/30 ,  H01L51/44

Abstract: 提供了一种有机图像传感器。有机图像传感器包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。有机图像传感器包括包含突出超过所述多个第一电极的表面的突出部的绝缘区。有机图像传感器包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外，有机图像传感器包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。

公开(公告)号：CN109962054A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811215891.7

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  尹惺铉

IPC: H01L23/522

Abstract: 公开了一种具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置。所述半导体装置包括形成在衬底上的通孔插塞和形成在通孔插塞的一端处的用于互连的金属层，其中绝缘结构位于用于互连的金属层下方，并且绝缘结构根据与用于互连的金属层的位置关系具有不同的分层结构。

公开(公告)号：CN109728012A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811210354.3

申请日：2018-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺铉 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。