公开(公告)号：CN101221970B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN200710160199.4

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  堀井秀树 ,  辛宗璨 ,  安东浩 ,  裴晙洙

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/144 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明公开一种具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品。提供一种包括相变材料图案的相变存储器件，其中相变材料图案的条带被邻近的单元共用。该相变存储器件包括多个以矩阵排列的底电极。该相变材料图案形成在底电极上，并且相变材料图案的条带电连接到底电极。相变材料图案的每个条带连接到底电极中的至少两个对角邻近的底电极。

公开(公告)号：CN102004197A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010271538.8

申请日：2010-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣国 ,  朴美林 ,  堀井秀树 ,  徐东硕

IPC: G01R31/00 ,  G01R27/08

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007

Abstract: 一种测量电阻存储器器件中的存储器单元的电阻的方法可以通过如下提供：把数据写脉冲施加到所述电阻存储器器件的被选择的单元；在自施加所述写数据脉冲的时刻测量的一段延迟时间以后，把电阻读脉冲施加到所述被选择的单元；测量响应于当把所述电阻读脉冲施加到所述被选择的单元时输出的脉冲波形在所述单元的下降电压；使用所述下降电压和耦合到所述单元的测试设备的内阻测量通过所述单元的总电流；以及，使用所述总电流和所述电阻读脉冲的电压确定所述电阻存储器器件的电阻。

公开(公告)号：CN101221970A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710160199.4

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  堀井秀树 ,  辛宗璨 ,  安东浩 ,  裴晙洙

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/144 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明公开一种具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品。提供一种包括相变材料图案的相变存储器件，其中相变材料图案的条带被邻近的单元共用。该相变存储器件包括多个以矩阵排列的底电极。该相变材料图案形成在底电极上，并且相变材料图案的条带电连接到底电极。相变材料图案的每个条带连接到底电极中的至少两个对角邻近的底电极。

公开(公告)号：CN101150138A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710154791.3

申请日：2007-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安东浩 ,  堀井秀树 ,  裵晙洙

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 相变存储器件可以包括集成电路衬底以及该集成电路衬底上的第一和第二相变存储元件。第一相变存储元件可以包括具有第一结晶温度的第一相变材料。第二相变存储元件可以包括具有第二结晶温度的第二相变材料。此外，第一和第二结晶温度可以不同，以使得可以在不同的温度下对第一和第二相变存储元件进行编程。还讨论了相关的方法和系统。

公开(公告)号：CN100369205C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410034828.5

申请日：2004-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  裵恩珠 ,  堀井秀树

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8239 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/28562 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/16 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/75 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种使用碳纳米管来形成用于半导体装置的导电线的方法以及用该方法制造的半导体装置。该方法包括：采用表面预处理法活化半导体装置的电极的表面；在电极表面上形成一绝缘层并在该绝缘层中形成一接触孔，以使得电极的部分活化表面暴露在外；通过接触孔向电极的活化表面通入含碳元素的气体，以在电极的活化表面上生长形成导电线的碳纳米管。电极表面的活化过程可被在电极表面上形成催化金属层的步骤所代替。按照该方法，具有高电流密度的碳纳米管可形成用于半导体装置的导电线，并因此可制造出超高集成化的半导体装置。

公开(公告)号：CN1542920A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410034828.5

申请日：2004-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  裵恩珠 ,  堀井秀树

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8239 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/28562 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/16 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/75 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种使用碳纳米管来形成用于半导体装置的导电线的方法以及用该方法制造的半导体装置。该方法包括：采用表面预处理法活化半导体装置的电极的表面；在电极表面上形成一绝缘层并在该绝缘层中形成一接触孔，以使得电极的部分活化表面暴露在外；通过接触孔向电极的活化表面通入含碳元素的气体，以在电极的活化表面上生长形成导电线的碳纳米管。电极表面的活化过程可被在电极表面上形成催化金属层的步骤所代替。按照该方法，具有高电流密度的碳纳米管可形成用于半导体装置的导电线，并因此可制造出超高集成化的半导体装置。