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公开(公告)号：CN110600551A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910505912.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/088 , H01L27/02 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上的多个有源图案。该半导体器件可以包括限定所述多个有源图案的器件隔离层、与所述多个有源图案交叉延伸的栅电极、以及在有源图案上的源极/漏极图案。所述多个有源图案可以包括第一有源图案和第二有源图案。源极/漏极图案包括在第一有源图案上的第一部分、在第二有源图案上的第二部分、以及从第一部分延伸并沿着第一有源图案的上部延伸的第三部分。器件隔离层包括在源极/漏极图案之下在第一有源图案的侧壁上的第一外部区段。第三部分的底表面的最低水平可以低于第一外部区段的顶表面的最高水平。
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公开(公告)号：CN109494221A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811052594.5
申请日：2018-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1211 , H01L29/0642 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/0684 , H01L29/0692
Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其可包括第一有源鳍、第二有源鳍及栅极结构。所述第一有源鳍可在衬底上在第一方向上延伸，且可包括第一直线延伸部分、第二直线延伸部分及位于所述第一直线延伸部分与所述第二直线延伸部分之间的弯曲部分。所述第二有源鳍可在所述衬底上在所述第一方向上延伸。所述栅极结构可在所述衬底上在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。所述栅极结构可与所述第一有源鳍的所述第一直线延伸部分及所述第二直线延伸部分中的一者交叉，且可与所述第二有源鳍交叉。本公开的半导体装置具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN109003975A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810467183.6
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，彼此间隔开并在第一鳍型图案及第二鳍型图案上在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及共享外延图案，在第一栅极结构与第二栅极结构之间连接第一鳍型图案与第二鳍型图案，其中所述共享外延图案的上表面包括：第一共享斜坡及第二共享斜坡，连接第一栅极结构与第二栅极结构；第三共享斜坡，接触第一栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡；以及第四共享斜坡，接触第二栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡。
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公开(公告)号：CN107437565A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710399194.0
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823864 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/66553
Abstract: 一种半导体器件包括：在基板上的包括第一区域和第二区域的场绝缘膜；在场绝缘膜的第一区域中的凹槽；在场绝缘膜的第二区域上的栅电极；以及沿栅电极的侧壁和凹槽的侧壁的栅间隔物。
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