公开(公告)号：CN1645549A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510004015.6

申请日：2005-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹英智 ,  全忠森 ,  全相文

IPC: H01J37/26 ,  H01L21/66 ,  G01R31/307

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G01R31/307 ,  H01J1/3042 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/0635 ,  H01J2237/2594

Abstract: 电子束发生器具有宽区域与定向射束生成能力。发生器包括以相互间隔和对置的关系设置的阳极电极和阴极电极。提供簇形碳纳米管阵列以支持宽区域与定向射束生成。簇形纳米管阵列在阳极电极和阴极电极之间伸展。纳米管阵列在其上也有在与阴极电极的主平面对置处伸展的宽区域发射面。簇形纳米管阵列被配置成其中的纳米管为电子从阴极电极通过发射面流向阳极电极提供导电通道。

公开(公告)号：CN1144038C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN00124292.X

申请日：2000-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  崔相奉 ,  赵炯奭 ,  玄弼植 ,  林圭弘 ,  李炳严

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/21

CPC classification number: G01N21/21

Abstract: 一种检测晶片表面的缺陷如微刮伤的装置。光按一定角度射到晶片表面介质上，在该角度时，光不由可位于介质下方的另一层反射。将晶片表面反射的光转换为电信号，但尽可能排除任何表面散射的光以不影响信号形成。电信号对应于晶片表面的反射光强度。当光扫描过晶片时，比较电信号量值以确定介质中是否有缺陷。由于射到晶片表面的光将由缺陷例如微刮伤散射，可以有效监测微刮伤，并且与介质下方结构例如图形层无关，可检测介质中的包含微刮伤的缺陷。

公开(公告)号：CN1113395C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98101421.6

申请日：1998-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉埈仍 ,  田弼权 ,  尹敏相 ,  尹永焕 ,  郭奎焕 ,  全相文

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  C11D7/60 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/02063

Abstract: 一种用于制造半导体器件的清洗组合物以及用它制造半导体器件的方法。这种清洗组合物包括由下列成分组成的混合物：0.01%～10%(重量)的HF、1%～10%(重量)的H2O2、0.01%～30%(重量)的IPA(异丙醇)、其余为H2O。

公开(公告)号：CN1097091C

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN97109669.4

申请日：1997-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全相文 ,  李富燮 ,  金成日 ,  吉埈仍 ,  田弼权 ,  田美淑

IPC: C11D7/50 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/422

Abstract: 在制造半导体过程中的清洗剂制品的包括乳酸乙酯(EL)和3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)，最好，它还包括γ-丁内酯。因此，晶片边缘或背侧的光刻胶能以足够快的速度有效地除去，因而可以提高半导体器件的成品率。另外，可完全除去的附着在表面上的残留光刻胶，以便能再利用该晶片，因而获得晶片的再利用和经济用途。

公开(公告)号：CN1285509A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00124292.X

申请日：2000-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  崔相奉 ,  赵炯奭 ,  玄弼植 ,  林圭弘 ,  李炳严

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/21

CPC classification number: G01N21/21

Abstract: 一种检测晶片表面的缺陷如微刮伤的方法和装置。光按一定角度射到晶片表面介质上,在该角度时,光不由可位于介质下方的另一层反射。将晶片表面反射的光转换为电信号,但尽可能排除任何表面散射的光以不影响信号形成。电信号对应于晶片表面的反射光强度。当光扫描过晶片时,比较电信号量值以确定介质中是否有缺陷。由于射到晶片表面的光将由缺陷例如微刮伤散射,可以有效监测微刮伤,并且与介质下方结构例如图形层无关,可检测介质中的包含微刮伤的缺陷。

公开(公告)号：CN1244029A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN98123847.5

申请日：1998-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  黄震虎 ,  吉俊仍 ,  朴济应 ,  全相文

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 一种抗蚀剂脱除方法和使用这种方法的抗蚀剂脱除设备。抗蚀剂脱除方法包括提供一种基材以及在该基材上形成抗蚀剂。然后将基材与含有N链烷醇烷氧基烷酰胺的抗蚀剂脱除剂接触,以便从基材上脱除抗蚀剂。另一方面,将基材与含有N链烷醇烷氧基烷酰胺和浸蚀抑制剂或者链烷醇胺和烷基烷氧基链烷酸酯的抗蚀剂脱除组合物接触。因为可用简单的方法在短时间内脱除抗蚀剂,以及因为可减小抗蚀剂脱除设备的尺寸,所以可提高半导体元件制造设备的生产率。

公开(公告)号：CN1177631A

公开(公告)日：1998-04-01

申请号：CN97109669.4

申请日：1997-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全相文 ,  李富燮 ,  金成日 ,  峻仍 ,  田弼权 ,  田美淑

IPC: C11D7/50

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/422

Abstract: 在制造半导体过程中的清洗剂制品的包括乳酸乙酯(EL)和3－乙氧基丙酸乙酯(EEP),最好,它还包括γ－丁内酯。因此,晶片边缘或背侧的光刻胶能以足够快的速度有效地除去,因而可以提高半导体器件的成品率。另外,可完全除去的附着在表面上的残留光刻胶,以便能再利用该晶片,因而获得晶片的再利用和经济用途。