公开(公告)号：CN1144038C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN00124292.X

申请日：2000-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  崔相奉 ,  赵炯奭 ,  玄弼植 ,  林圭弘 ,  李炳严

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/21

CPC classification number: G01N21/21

Abstract: 一种检测晶片表面的缺陷如微刮伤的装置。光按一定角度射到晶片表面介质上，在该角度时，光不由可位于介质下方的另一层反射。将晶片表面反射的光转换为电信号，但尽可能排除任何表面散射的光以不影响信号形成。电信号对应于晶片表面的反射光强度。当光扫描过晶片时，比较电信号量值以确定介质中是否有缺陷。由于射到晶片表面的光将由缺陷例如微刮伤散射，可以有效监测微刮伤，并且与介质下方结构例如图形层无关，可检测介质中的包含微刮伤的缺陷。

公开(公告)号：CN1285509A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00124292.X

申请日：2000-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  崔相奉 ,  赵炯奭 ,  玄弼植 ,  林圭弘 ,  李炳严

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/21

CPC classification number: G01N21/21

Abstract: 一种检测晶片表面的缺陷如微刮伤的方法和装置。光按一定角度射到晶片表面介质上,在该角度时,光不由可位于介质下方的另一层反射。将晶片表面反射的光转换为电信号,但尽可能排除任何表面散射的光以不影响信号形成。电信号对应于晶片表面的反射光强度。当光扫描过晶片时,比较电信号量值以确定介质中是否有缺陷。由于射到晶片表面的光将由缺陷例如微刮伤散射,可以有效监测微刮伤,并且与介质下方结构例如图形层无关,可检测介质中的包含微刮伤的缺陷。