接合用片及接合结构
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115103730B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202180014769.7

    申请日:2021-03-12

    Inventor: 穴井圭 赵亭来

    Abstract: 本发明的接合用片(1)具有铜箔(2)和在铜箔(2)的两面形成的可烧结的接合用膜(3)。接合用膜(3)包含铜颗粒和固体还原剂。接合用片(1)用于与接合对象物(5)接合,所述接合对象物(5)在表面具有金、银、铜和镍中的至少一种金属。另外,本发明还提供接合对象物(5)与铜箔(2)借助接合层(30)电连接而成的接合结构(10),所述接合对象物(5)在表面具有金、银、铜和镍中的至少一种金属,所述接合层(30)由铜颗粒彼此的烧结结构形成。

    接合体的制造方法和被接合体的接合方法

    公开(公告)号:CN118648093A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202380020310.7

    申请日:2023-03-28

    Abstract: 制造第1被接合体(11)和第2被接合体(13)借助接合层接合而成的接合体。将包含铜颗粒和有机溶剂的糊剂涂布于第1被接合体(11)而形成涂膜(12X)。在涂膜(12X)上载置第2被接合体(13)而形成层叠体(15)。对层叠体(15)进行加热和加压,使涂膜(12X)中的铜颗粒烧结而形成接合层。逐渐增加地进行从加热开始温度起至达到最高温度Tm为止的加热,并且逐渐增加地进行从加压开始压力起至达到最高压力Pm为止的加压,并且将加热温度达到200℃时的压力设为15MPa以下。

    接合用组合物以及导电体的接合结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN112437706B

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN201980048168.0

    申请日:2019-08-08

    Abstract: 本发明的接合用组合物包含铜粉、液介质及还原剂,上述还原剂具有至少1个氨基及多个羟基,上述还原剂的沸点比上述液介质的沸点高,上述还原剂的熔点为上述铜粉的烧结温度以下。上述还原剂优选为双(2‑羟基乙基)亚氨基三(羟基甲基)甲烷。接合用组合物优选剪切速度10s‑1及25℃下的粘度为10Pa·s以上且200Pa·s以下。接合用组合物还优选相对于上述铜粉100质量份包含0.1质量份以上且10质量份以下的上述还原剂,并且包含10质量份以上且40质量份以下

    导电膜形成用组合物和导电膜的制造方法

    公开(公告)号:CN111837199A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201980017407.6

    申请日:2019-03-26

    Inventor: 穴井圭 福里骏

    Abstract: 本发明的导电膜形成用组合物包含扁平状金属颗粒和树脂。扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层。扁平状金属颗粒中的金属氧化物层的厚度相对于该颗粒的厚度之比为0.010以上且0.300以下。金属氧化物层的厚度为0.010μm以上且2.000μm以下。此外,本发明的导电膜的制造方法使用包含扁平状金属颗粒和树脂的导电膜形成用组合物。在基材上涂布导电膜形成用组合物而形成涂膜,然后对该涂膜照射光进行焙烧,从而得到导电膜。扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层。

    导电膜的制造方法
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111433866A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201880078405.3

    申请日:2018-12-19

    Inventor: 穴井圭 福里骏

    Abstract: 在形成含有导电性赋予粒子的组合物的涂膜、并通过对该涂膜的光烧成来制造导电膜的方法中,在上述涂膜的光烧成之前将该涂膜沿其厚度方向压缩。在上述组合物中包含的结合剂的储能模量成为100MPa以下的温度下将上述涂膜压缩是适宜的。按照向厚度方向的压缩率成为25%以上且80%以下的方式将上述涂膜压缩也是适宜的。光烧成工序中的光的照射设定为脉冲光的照射是适宜的。

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